[发明专利]冷却装置及立式炉系统在审
申请号: | 201910509797.0 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN112086376A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 赵宏图 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27B1/24 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 装置 立式 系统 | ||
本发明提供一种冷却装置及立式炉系统,该冷却装置包括:辅助支架、排风盒组件以及热交换组件;所述辅助支架用于支撑所述排风盒组件、所述热交换组件;所述排风盒组件的进气端与所述炉体出气口连接,所述排风盒组件的出气端与所述热交换组件的进气端连接。通过本发明,可以在对炉体出气口的气体进行快速降温的同时提高了炉体降温过程的安全性。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种冷却装置及立式炉系统。
背景技术
晶圆的热处理工艺是其制造过程中一个非常重要的环节,常规的热处理工艺包括氧化、退火和LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压力化学气相沉积法)等。立式炉设备能够同时对多张半导体晶圆进行分批的热处理,而每批次热处理时炉体的温度一般都会达到几百到上千度,要进行下一批次的热处理,就需要等到炉体温度降低之后才能进行,为了提高生产效率,就需要对炉体进行快速降温处理。
常规的快速升降温炉体具有两个进风口和一个排风口。进风口自然进风,排风口与排气装置连接。排气装置一般包括排风盒、风机和热交换器盒等,排气装置可以把炉体内部的高温空气快速排出,实现炉体快速降温的目的。
现有技术中冷却装置如图1所示,炉体701的排风口连接排风盒702,排风盒702后面是后排风盒703,后排风盒703连接排气管道704,地面的控制柜707中设有热交换器705,热交换器705的出口连接风机706,在风机706的抽吸作用下,炉体701的高温气体不断排出,高温气体经过排气管道704时温度最高可达800℃,所以,排气管道704的外侧要么带有保温材料,要么带有冷却水系统对其进行初步的降温。
炉体中排出的高温气体没有经过降温处理,直接进入到控制柜中,可能会对电气元件造成损害,影响机台的运行。高温气体通过较长的管道,其在运行过程中可能会发生泄漏,造成人员受伤。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种冷却装置及立式炉系统,以在快速降温的同时提高炉体降温过程中的安全性。
为实现本发明的目的而提供一种冷却装置,与炉体出气口连接,包括:辅助支架、排风盒组件以及热交换组件;
所述辅助支架用于支撑所述排风盒组件、所述热交换组件;
所述排风盒组件的进气端与所述炉体出气口连接,所述排风盒组件的出气端与所述热交换组件的进气端连接。
优选地,所述排风盒组件包括:容置腔和切换组件;
所述切换组件位于所述容置腔中,用于阻断或接通所述排风盒组件的进气端与所述炉体出气口之间的连接处。
优选地,所述切换组件包括:风门板、转轴、滑轨、滑块以及驱动机构;
所述风门板位于所述容置腔中,用于闭合或开启所述炉体出气口;
所述转轴与所述风门板固定连接;
所述转轴与所述滑轨固定连接;
所述滑轨与所述滑块相配合;
所述驱动机构通过驱动所述滑轨中的所述滑块,使所述风门板围绕所述转轴中心转动。
优选地,所述切换组件还包括:指针;
所述指针一端与所述转轴侧壁固定连接;所述指针另一端伸出所述容置腔外部,所述指针用于指示所述风门板闭合或开启所述炉体出气口的状态。
优选地,所述排风盒组件还包括:分别与所述容置腔相连通的第一法兰与第二法兰;
所述第一法兰与所述炉体出气口固定连接;
所述第二法兰与所述热交换组件固定连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910509797.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造