[发明专利]用于衬底涂覆的气垫设备和技术在审
申请号: | 201910510788.3 | 申请日: | 2015-04-27 |
公开(公告)号: | CN110265326A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | A.S-K.高;J.莫克;E.弗伦斯基;C.F.马迪根;E.拉比诺维奇;N.哈吉;C.布赫纳;G.路易斯 | 申请(专利权)人: | 科迪华公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/48;H01L23/532;H05K3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 董均华;李建新 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 气垫 固体层 支撑 处理液体 打印液体 涂覆系统 处理区 打印带 中支撑 固持 涂覆 图案 制造 | ||
能够在衬底上提供涂层。所述涂层的制造能够包括:在使用气垫在涂覆系统中支撑衬底的同时,在衬底的指定区域中形成固体层。例如,在由气垫支撑衬底的同时,能够在指定区域上打印液体涂层。在已打印带图案的液体之后,能够固持衬底指定的持续时间。在使用气垫支撑衬底的同时,能够将衬底输送到处理区。能够处理液体涂层以提供固体层,包括继续使用气垫支撑衬底。
优先权要求
本专利申请要求以下各项中的每一项的优先权的权益:(1)2014年4月30日提交的标题为“Systems and Methods for the Fabrication of Inkjet printed EncapsulationLayers”的美国临时专利申请序列号61/986,868;以及(2)2014年5月23日提交的标题为“DISPLAY DEVICE FABRICATION SYSTEMS AND TECHNIQUES USING INERT ENVIRONMENT”的美国临时专利申请序列号62/002,384,其中的每一项的全部内容特此通过引用并入本文。
背景技术
能够在衬底上形成材料层,以便提供电子装置的一个或多个功能层或非功能层。在一种方法中,这种装置上的膜层能够部分地经由使用许多技术中的任一种将一系列薄膜真空沉积于衬底上来制造,所述技术包括(但不限于)化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、溅射、电子束蒸发和热蒸发。然而,以此方式进行的真空加工相对:(1)复杂,通常涉及大真空室和泵送子系统以维持这种真空;(2)浪费所沉积的原材料,因为在这种系统中一大部分材料通常被沉积到沉积室内部的壁和夹具上,使得相比于沉积到衬底上的材料,通常更多的材料被浪费;以及(3)难以维持,诸如涉及频繁地停止真空沉积工具的操作以打开和从壁和夹具清洁去除累积的废料。在衬底的表面积大于通常可用的硅晶圆的表面积的情况下,这些问题提出了进一步挑战。
在某些应用中,能够期望以指定图案沉积膜。在另一种方法中,能够将粘敷涂层(blanket coating)沉积于衬底上,并且能够考虑光刻术以实现期望的图案。但是,在各种应用中,这种光刻工艺能够损害现有的所沉积的膜层。当使用真空沉积技术时,能够使用所谓的荫罩直接使所沉积的层形成图案。在这种情况下的荫罩包括带有用于沉积区域的切口的物理型板(stencil),其能够例如由金属片制成。荫罩通常在沉积之前与衬底对齐、被放置成接近或接触所述衬底,在沉积期间被保持在恰当位置,并且然后在沉积之后被移除。
经由荫罩进行的这种直接形成图案为基于真空的沉积技术增添了相当大的复杂性,其通常涉及额外的机构和夹具以相对于衬底准确地操纵和定位罩,从而进一步增加材料浪费(由于来自沉积到荫罩上的材料的浪费),并且进一步增加了对维护的需求以持续地清洁和更换荫罩。这种薄罩能够在大的区域上机械不稳定,从而限制了能够加工的衬底的最大尺寸,并且因此情况是再次地,对于表面积大于通常可用的硅晶圆的表面积的衬底,这些问题尤其具有挑战性。
附图说明
图1总体地图示涂覆系统的至少一部分的平面图的示例。
图2总体地图示涂覆系统的至少一部分的平面图的示例,所述涂覆系统诸如能够包括两个或更多个打印区和处理区。
图3A至图3D总体地图示涂覆系统的至少一部分的平面图的另外的示例。
图4A总体地图示一种技术(诸如,方法),其能够包括在衬底上形成有图案的固体层,诸如能够包括使用图1、图2或图3A至图3D的示例中所示的系统。
图4B总体地图示一种技术(诸如,方法),其能够包括形成有机封装层(OEL),诸如能够包括使用图1、图2或图3A至图3D的示例中所示的系统。
图5总体地图示描绘衬底的各种区域的示例。
图6总体地图示气体净化方案的示意性表示,所述气体净化方案能够关于本文中所描述的一个或多个其它示例的部分或整体使用,以便构建或维持封闭件中的受控环境。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造