[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

隔离结构，设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区；

栅极，设置在所述装置区之上，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内；

第一源极/漏极区，设置在所述装置区中及所述栅极的第一侧上；

第二源极/漏极区，设置在所述装置区中及所述栅极的与所述第一侧相对的第二侧上；以及

硅化物阻挡结构，局部地覆盖所述栅极、局部地覆盖所述第一源极/漏极区且局部地覆盖所述隔离结构，其中所述硅化物阻挡结构的第一侧壁设置在所述栅极的第一相对侧壁之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述硅化物阻挡结构接触所述栅极的上表面、所述第一源极/漏极区的上表面及所述隔离结构的上表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述栅极的所述第一侧与所述栅极的所述第二侧在第一侧向方向上间隔开；并且

所述栅极的所述第一相对侧壁在第二侧向方向上间隔开，所述第二侧向方向与所述第一侧向方向垂直。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述硅化物阻挡结构的第二侧壁设置在所述隔离结构的所述内周界之外，且其中所述硅化物阻挡结构的所述第二侧壁与所述第一侧壁相对。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述硅化物阻挡结构的第三侧壁设置在所述栅极的第二相对侧壁之间，且其中所述栅极的所述第二相对侧壁在所述第一侧向方向上间隔开。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述硅化物阻挡结构从所述硅化物阻挡结构的第三侧壁连续地延伸到所述硅化物阻挡结构的第四侧壁，所述第四侧壁与所述第三侧壁相对，其中所述第三侧壁在所述第一侧向方向上与所述第四侧壁间隔开，且所述第三侧壁与所述第四侧壁两者均设置在所述隔离结构的所述内周界之外。

7.一种半导体装置，其特征在于，包括：

隔离结构，设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界界定所述半导体衬底的装置区的多个侧；

第一源极/漏极区及第二源极/漏极区，设置在所述装置区中且在第一侧向方向上间隔开；

栅极，设置在所述装置区之上及所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内；

第一硅化物阻挡结构，覆盖所述栅极的第一部分、所述第一源极/漏极区的第一部分及所述隔离结构的第一部分；以及

第二硅化物阻挡结构，覆盖所述栅极的第二部分、所述第一源极/漏极区的第二部分及所述隔离结构的第二部分，其中所述第二硅化物阻挡结构在和所述第一侧向方向垂直的第二侧向方向上与所述第一硅化物阻挡结构间隔开。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

第一导电触点，电耦合到所述第一源极/漏极区，其中所述第一导电触点设置在所述第一硅化物阻挡结构与所述第二硅化物阻挡结构之间及所述栅极与所述隔离结构之间。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

第一拾取区及第二拾取区，在所述装置区中设置在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间，其中：

所述第一拾取区与所述第二拾取区在所述第二侧向方向上间隔开且设置在所述栅极的相对侧上；

所述第一拾取区包括与所述第一源极/漏极区不同的掺杂类型；并且

所述第一硅化物阻挡结构设置在所述第一拾取区与所述第一导电触点之间。

10.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体衬底中形成隔离结构，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区；

在所述装置区之上及所述隔离结构的所述内周界内形成栅极；

在所述装置区中及所述栅极的第一相对侧上形成第一源极/漏极区及第二源极/漏极区，其中所述栅极的所述第一相对侧在第一侧向方向上间隔开；

形成第一硅化物阻挡结构，所述第一硅化物阻挡结构局部地覆盖所述第一源极/漏极区、局部地覆盖所述栅极且局部地覆盖所述隔离结构；

形成第二硅化物阻挡结构，所述第二硅化物阻挡结构在和所述第一侧向方向垂直的第二侧向方向上与所述第一硅化物阻挡结构间隔开，其中所述第二硅化物阻挡结构局部地覆盖所述第一源极/漏极区、局部地覆盖所述栅极且局部地覆盖所述隔离结构；以及

执行硅化物工艺，以在所述第一源极/漏极区上形成第一硅化物层，其中所述第一硅化物层设置在所述第一硅化物阻挡结构与所述第二硅化物阻挡结构之间。