[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包括隔离结构，所述隔离结构设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区。栅极设置在所述装置区之上，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内。第一源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的第一侧上。第二源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的与所述第一侧相对的第二侧上。硅化物阻挡结构局部地覆盖所述栅极、局部地覆盖所述第一源极/漏极区且局部地覆盖所述隔离结构，其中所述硅化物阻挡结构的第一侧壁设置在所述栅极的第一相对侧壁之间。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体装置是利用半导体材料的电子属性来影响电场或其相关场的电子组件。广泛使用的一种半导体装置类型是场效晶体管(field-effect transistor，FET)。FET包括一对源极/漏极区、选择性导电沟道及栅电极。FET是可用于开关、放大器及存储器等的通用装置。FET的实例包括金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)及结栅极场效晶体管(junction gate field-effecttransistor，JFET)。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体装置，包括隔离结构、栅极、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及硅化物阻挡结构。隔离结构设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区。栅极设置在所述装置区之上，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内。第一源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的第一侧上。第二源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的与所述第一侧相对的第二侧上。硅化物阻挡结构局部地覆盖所述栅极、局部地覆盖所述第一源极/漏极区且局部地覆盖所述隔离结构，其中所述硅化物阻挡结构的第一侧壁设置在所述栅极的第一相对侧壁之间。

根据本发明的实施例，一种半导体装置，包括：隔离结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、栅极、第一硅化物阻挡结构以及第二硅化物阻挡结构。隔离结构设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界界定所述半导体衬底的装置区的多个侧。第一源极/漏极区及第二源极/漏极区设置在所述装置区中且在第一侧向方向上间隔开。栅极设置在所述装置区之上及所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内。第一硅化物阻挡结构覆盖所述栅极的第一部分、所述第一源极/漏极区的第一部分及所述隔离结构的第一部分。第二硅化物阻挡结构覆盖所述栅极的第二部分、所述第一源极/漏极区的第二部分及所述隔离结构的第二部分，其中所述第二硅化物阻挡结构在和所述第一侧向方向垂直的第二侧向方向上与所述第一硅化物阻挡结构间隔开。

根据本发明的实施例，一种形成半导体装置的方法，包括：在半导体衬底中形成隔离结构，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区；在所述装置区之上及所述隔离结构的所述内周界内形成栅极；在所述装置区中及所述栅极的第一相对侧上形成第一源极/漏极区及第二源极/漏极区，其中所述栅极的所述第一相对侧在第一侧向方向上间隔开；形成第一硅化物阻挡结构，所述第一硅化物阻挡结构局部地覆盖所述第一源极/漏极区、局部地覆盖所述栅极且局部地覆盖所述隔离结构；形成第二硅化物阻挡结构，所述第二硅化物阻挡结构在和所述第一侧向方向垂直的第二侧向方向上与所述第一硅化物阻挡结构间隔开，其中所述第二硅化物阻挡结构局部地覆盖所述第一源极/漏极区、局部地覆盖所述栅极且局部地覆盖所述隔离结构；以及执行硅化物工艺，以在所述第一源极/漏极区上形成第一硅化物层，其中所述第一硅化物层设置在所述第一硅化物阻挡结构与所述第二硅化物阻挡结构之间。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。