[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

藉由一第一掩膜形成一第一图案化导电层于一基板上，其中该基板包括一元件区及一扇出区；

形成一栅极绝缘层于该第一图案化导电层上；

藉由一第二掩膜形成一图案化半导体层及一第二图案化导电层于该栅极绝缘层上，其中该第二图案化导电层覆盖于该图案化半导体层上；

形成一第一绝缘层于该图案化半导体层及该第二图案化导电层上；以及

藉由一第三掩膜形成一第一图案化透明导电层及一第三图案化导电层于该第一绝缘层上，其中该第三图案化导电层覆盖于该第一图案化透明导电层上，且该第三图案化导电层至少位于该扇出区。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，藉由该第二掩膜形成该图案化半导体层及该第二图案化导电层的步骤包括：

形成一半导体材料层于该栅极绝缘层上；

形成一第二导电材料层于该半导体材料层上；

藉由该第二掩膜形成一第一图案化光阻层于该第二导电材料层上，其中该第一图案化光阻层包括一第一区块以及一第二区块，该第一区块的厚度大于该第二区块的厚度，且该第二导电材料层包括对应于该第二区块的一第一预备蚀刻区；

移除未被该第一图案化光阻层覆盖的部分该半导体材料层及部分该第二导电材料层；

移除该第二区块及减薄该第一区块的厚度；以及

于移除该第二区块之后，移除该第一预备蚀刻区，以构成该图案化半导体层及该第二图案化导电层。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一区块位于该元件区及该扇出区，且该第二区块至少位于该元件区。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，藉由一第三掩膜形成该第一图案化透明导电层及一第三图案化导电层的步骤包括：

形成一第一透明导电材料层于该第一绝缘层上；

形成一第三导电材料层于该第一透明导电材料层上；

藉由该第三掩膜形成一第二图案化光阻层于该第三导电材料层上，其中该第二图案化光阻层包括一第三区块以及一第四区块，该第三区块的厚度大于该第四区块的厚度，且该第三导电材料层包括对应于该第四区块的一第二预备蚀刻区；

移除未被该第二图案化光阻层覆盖的部分该第三导电材料层及部分该第一透明导电材料层；

移除该第四区块及减薄该第三区块的厚度；以及

于移除该第四区块之后，移除该第二预备蚀刻区，以构成该第一图案化透明导电层及该第三图案化导电层。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该第三区块至少位于该扇出区，且该第四区块至少位于该元件区。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，位于该扇出区的该第二图案化导电层垂直投影于该基板上的投影范围位于该图案化半导体层垂直投影于该基板上的投影范围内。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，位于该扇出区的该第三图案化导电层垂直投影于该基板上的投影范围位于该第一图案化透明导电层垂直投影于该基板上的投影范围内。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该第三图案化导电层更位于该元件区。

9.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一第二绝缘层于该第一图案化透明导电层及该第三图案化导电层上；

藉由一第四掩膜于该元件区的部分该第二图案化导电层上形成贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层的至少一接触窗；以及

藉由一第五掩膜形成一第二图案化透明导电层，且部分的该第二图案化透明导电层填入该至少一接触窗以电性连接至部分该第二图案化导电层。