[发明专利]一种芯片切割方法有效
申请号: | 201910512143.3 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN110211927B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 刘剑;侯华 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/02 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 刘雪莲 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 切割 方法 | ||
1.一种芯片切割方法,其特征在于,
S1、在芯片上表面所在平面设置虚拟的第一辅助线以及平行于第一辅助线的第二辅助线,第一辅助线和第二辅助线将所述芯片划分为第一区域、第二区域和第三区域,所述第三区域位于两条辅助线之间;第一辅助线位于第一区域和第三区域之间;第二辅助线位于第二区域和第三区域之间;
S2、对所述第三区域进行切割,切割线平行于所述辅助线;
S3、对第一区域和第二区域进行切割,切割线平行于所述辅助线;
第三区域的切割和第一区域的切割由第一刀具完成;
对第三区域的切割,从第二辅助线一侧开始;平行于辅助线依次切割;对第一区域切割时从第一辅助线的位置向远离第三区域的方向依次切割;
第二区域的切割由第二刀具完成;对第二区域切割时,从第二辅助线的位置向远离第三区域的方向依次切割。
2.如权利要求1所述的芯片切割方法,其特征在于,对第一区域的切割和对第二区域的切割同时进行。
3.如权利要求1所述的芯片切割方法,其特征在于,第一刀具已切割芯片的长度小于第二刀具已切割芯片的长度。
4.如权利要求1所述的芯片切割方法,其特征在于,两条辅助线间距大于第一刀具和第二刀具之间的最小间距。
5.如权利要求1~4中的任意一项所述的芯片切割方法,其特征在于,相邻切割线间隔N列晶粒切割,N为整数,N≥1。
6.如权利要求5所述的芯片切割方法,其特征在于,所述N=1、2、3、4或5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造