[发明专利]一种芯片切割方法有效
申请号: | 201910512143.3 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN110211927B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 刘剑;侯华 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/02 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 刘雪莲 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 切割 方法 | ||
本发明公开了一种刀具切割领域的芯片切割方法。本发明的通过在芯片上表面所在平面设置虚拟的第一辅助线以及平行于第一辅助线的第二辅助线,所述辅助线将所述芯片划分为第一区域、第二区域和第三区域,所述第三区域位于两条辅助线之间;先对所述第三区域进行切割,切割线平行于所述辅助线;后对第一区域和第二区域进行切割,切割线平行于所述辅助线。避免切割过程中芯片因应力作用产生裂痕,提高了芯片产品的合格率。
技术领域
本发明涉及一种芯片切割方法,特别涉及一种刀具切割领域的芯片切割方法。
背景技术
半导体芯片制造过程中,需要将晶粒从芯片上分离。分离的方式一般有激光切割和刀具切割两种。激光切割的成本较高。因此,利用刀具切割是一个重要的技术发展方向。
刀具切割领域,传统的芯片切割方法,是用金刚石刀具逐一对准切割道进行一次横向切割和一次纵向切割。作为本领域技术人员所知的,实现横向和纵向切割的转换,是将芯片逆时针或顺时针旋转90°。
使用刀具切割时,为了提升效率,通常会使用双轴划片设备。即使用两个刀片同时切割。两个刀片从相对方向对圆形的晶圆进行切割。即两个刀片相对,从晶圆的两侧依次切割,直到晶圆中部。
因为刀具两轴对向安装,两轴到达最小极限位时,两轴的刀片相距一定距离。因此在切割芯片中部一定宽度的部分时,一个刀先跳一段距离再反向切割,另一刀片继续保持原有方向切割。
现有方法中存在如下问题:在第一次横向切割的最后阶段,切割芯片的中部区域时,芯片易碎裂(行业称为Crack die),芯片产品的成品率降低。增加了芯片产品的成本。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足,提供一种用双刀切割芯片的方法,该方法在保持切割效率的同时,解决了第一次横向切割时,在最后阶段,对中部区域进行切割时,芯片易碎裂的问题,提高芯片产品的成品率。
为了实现上述发明目的,本发明提供了以下技术方案:
一种芯片切割方法:
S1、在芯片上表面所在平面设置虚拟的第一辅助线以及平行于第一辅助线的第二辅助线,所述辅助线将所述芯片划分为第一区域、第二区域和第三区域,所述第三区域位于两条辅助线之间;第一辅助线位于第一区域和第三区域之间;第二辅助线位于第二区域和第三区域之间;
S2、对所述第三区域进行切割,切割线平行于所述辅助线;
S3、对第一区域和第二区域进行切割,切割线平行于所述辅助线。
本发明的发明人通过长期的生产经验积累及大量的实验研究,得到了本发明的方法。发明人经研究发现,现有技术切割方法中,第一次的横向切割时,由于刀具是从芯片的两侧向中间逐步切割,最后切割的区域为细长条,切割时容易晃动,且应力集中,芯片容易出现裂纹,从而影响产品质量。本发明采用了先将中部区域进行切割,再将两侧剩余区域进行切割的方式,减少切割过程中芯片的应力,提高芯片产品合格率。
上述中部区域可以通过在芯片表面所在的平面设置相互平行的第一虚拟直线和第二虚拟直线的方式进行对芯片的划分。芯片呈圆形时,圆形的圆心位于平行线两条直线的中间。圆心距离任一条直线的距离小于芯片半径。这样,辅助线将芯片划分为三个区域,即第一辅助线和第二辅助线之间的第三区域。以及第一辅助线外侧的第一区域,第二辅助线外侧的第二区域。值的说明的是,该虚拟的辅助线不是实际存在的,仅仅作为将芯片划分为三个区域的相对位置的标记。在实际生产过程中,优选将该虚拟辅助线设置为与预设的后续切割过程中形成的切割线重合。
作为优选,对第一区域的切割和对第二区域的切割同时进行。
作为优选,对第一区域切割时从第一辅助线的位置向远离第三区域的方向依次切割;对第二区域切割时,从第二辅助线的位置向远离第三区域的方向依次切割。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造