[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具有：

集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；和

发射极电极，其与所述发射极层进行欧姆接触，

所述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，

欧姆接触界面与所述发射极层间的在所述发射极层的长边方向上的尺寸差大于所述发射极层与所述欧姆接触界面间的在所述发射极层的宽度方向上的尺寸差，其中，所述欧姆接触界面是所述发射极层跟所述发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述发射极层与所述欧姆接触界面间的在所述发射极层的长边方向上的尺寸差为所述发射极层与所述欧姆接触界面间的在所述发射极层的宽度方向上的尺寸差的10倍以上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

在所述发射极层的长边方向的两端处，从所述发射极层的长边方向的端部起至所述欧姆接触界面止的在所述发射极层的长边方向上的距离，为所述发射极层与所述欧姆接触界面间的在所述发射极层的宽度方向上的尺寸差的5倍以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述发射极层的长边方向的至少一个端部处，从所述发射极层的长边方向的端部起至所述欧姆接触界面为止的在所述发射极层的长边方向上的距离为3μm以上。

5.一种半导体装置，其中，具有：

集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；

发射极电极，其与所述发射极层进行欧姆接触；以及

发射极布线，其穿过设置于绝缘膜的接触孔而连接于所述发射极电极，

所述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，

所述发射极层与所述接触孔间的在所述发射极层的长边方向上的尺寸差大于所述发射极层与所述接触孔间的在所述发射极层的宽度方向上的尺寸差。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述发射极层与所述接触孔间的在所述发射极层的长边方向上的尺寸差为所述发射极层与所述接触孔间的在所述发射极层的宽度方向上的尺寸差的10倍以上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

在所述发射极层的长边方向的两端处，从所述发射极层的长边方向的端部起至所述接触孔止的在所述发射极层的长边方向上的距离，为所述发射极层与所述接触孔间的在所述发射极层的宽度方向上的尺寸差的5倍以上。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述发射极层的长边方向的至少一个端部处，从所述发射极层的长边方向的端部起至所述接触孔止的在所述发射极层的长边方向上的距离为4μm以上。

9.一种半导体装置，其中，具有：

集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；和

发射极电极，其与所述发射极层进行欧姆接触，

所述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，所述发射极层与所述发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面具有对长方形的至少1个顶点进行了去角的平面形状。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

从所述发射极层的长边方向的端部起至所述欧姆接触界面的被去角的部分的最远的位置止的在所述发射极层的长边方向上的距离为3μm以上。

11.一种半导体装置，其中，具有：

集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；

发射极电极，其与所述发射极层进行欧姆接触；以及

发射极布线，其穿过设置于绝缘膜的接触孔而连接于所述发射极电极，

所述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，所述接触孔具有对长方形的至少1个顶点进行了去角的平面形状。