[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

作为构成移动终端的功率放大器模块的有源元件，主要使用有异质结双极晶体管(HBT)(专利文献1)。该HBT所需的期望的特性具有高效率、高增益、高输出、以及高耐压等各个项目。在最近备受关注的包络跟踪系统中，需要在高集电极电压下工作的HBT。为了实现HBT的高电压工作，需要将安全工作区(SOA：Safe Opearting Area)扩大。

专利文献1：日本特开2005-101402号公报

在示出集电极电流-集电极电压特性(Ic-Vce特性)的图表中，若增高HBT的集电极电压，则SOA的范围内与SOA的范围外的边界线(SOA线)逐渐降低。根据本申请的发明人们的评价实验，发现了在某个集电极电压下，出现SOA线不连续地降低的现象。将SOA线不连续地降低时的集电极电压称为过渡电压(transition voltage)。

若使工作电压与过渡电压为相同程度，或是比过渡电压高，则在HBT的工作中产生了负荷的变动时，实际的工作范围偏离SOA的范围的危险性增高。若工作范围偏离SOA的范围，则存在HBT形成损伤的情况。为了即使产生负荷变动也不会使HBT损伤、并在高集电极电压下进行工作，期望增大过渡电压而将SOA扩大。

发明内容

本发明的目的是，提供一种能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。

根据本发明的一观点，提供一种半导体装置，其中，具有：

集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；和

发射极电极，其与上述发射极层进行欧姆接触，

上述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，

欧姆接触界面与上述发射极层间的在上述发射极层的长边方向上的尺寸差大于上述发射极层与上述欧姆接触界面间的在上述发射极层的宽度方向上的尺寸差，其中，上述欧姆接触界面是上述发射极层跟上述发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面。

根据本发明的其它观点，提供一种半导体装置，其中，具有：

集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；

发射极电极，其与上述发射极层进行欧姆接触；以及

发射极布线，其穿过设置于绝缘膜的接触孔而连接于上述发射极电极，

上述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，

上述发射极层与上述接触孔间的在上述发射极层的长边方向上的尺寸差大于上述发射极层与上述接触孔间的在上述发射极层的宽度方向上的尺寸差。

根据本发明的又一其它观点，提供一种半导体装置，其中，具有：

集电极层、基极层、以及发射极层，它们配置于基板之上而构成双极晶体管；和

发射极电极，其与上述发射极层进行欧姆接触，

上述发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状，上述发射极层与上述发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面具有对长方形的至少1个顶点进行了去角的平面形状。

根据本发明的又一其它观点，提供一种半导体装置，其中，具有：