[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910514929.9 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN110634860B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 王文桢;武野纮宜;冈本淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03K17/687;H03K19/094 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王秀辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,
半导体基板;
第一标准单元,具备第一有源区域和第二有源区域;
第二标准单元,具备第五有源区域和第六有源区域;以及
电源开关电路,具备第一开关晶体管和第一缓冲器,其中,上述第一开关晶体管电连接在形成于上述半导体基板上的第一布线与第二布线之间,上述第一缓冲器与上述第一开关晶体管的栅极连接,并具备第三有源区域和第四有源区域,
上述电源开关电路具备第二开关晶体管和第二缓冲器,其中,上述第二开关晶体管连接在上述第一布线与上述第二布线之间,上述第二缓冲器与上述第二开关晶体管的栅极连接,并具备第七有源区域和第八有源区域,
在俯视时,上述第一缓冲器与上述第一标准单元在第一方向上邻接,
在与上述第一方向不同的第二方向上,上述第一有源区域的配置与上述第三有源区域的配置相互一致,
在上述第二方向上,上述第二有源区域的配置与上述第四有源区域的配置相互一致,
在俯视时,上述第二缓冲器与上述第二标准单元在上述第一方向上邻接,
在上述第二方向上,上述第五有源区域的配置与上述第七有源区域的配置相互一致,
在上述第二方向上,上述第六有源区域的配置与上述第八有源区域的配置相互一致。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述电源开关电路具有对上述第一缓冲器供给基板电位的第一阱抽头,
在俯视时,在上述第一阱抽头与上述第一标准单元之间配置有上述第一缓冲器。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
在俯视时,上述第一有源区域与上述第二有源区域在上述第二方向上排列配置,
在俯视时,上述第三有源区域与上述第四有源区域在上述第二方向上排列配置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述电源开关电路具有对上述第二缓冲器供给基板电位的第二阱抽头,
在俯视时,在上述第二阱抽头与上述第二标准单元之间配置有上述第二缓冲器。
5.根据权利要求1或4所述的半导体装置,其特征在于,
在俯视时,上述第五有源区域与上述第六有源区域在上述第二方向上排列配置,
在俯视时,上述第七有源区域与上述第八有源区域在上述第二方向上排列配置。
6.一种半导体装置,其特征在于,
半导体基板;
第一标准单元,具备第一有源区域和第二有源区域;
电源开关电路,具备第一开关晶体管和第一缓冲器,其中,上述第一开关晶体管电连接在形成于上述半导体基板上的第一布线与第二布线之间,上述第一缓冲器与上述第一开关晶体管的栅极连接,并具备第三有源区域和第四有源区域,
在俯视时,上述第一缓冲器与上述第一标准单元在第一方向上邻接,
在与上述第一方向不同的第二方向上,上述第一有源区域的配置与上述第三有源区域的配置相互一致,
在上述第二方向上,上述第二有源区域的配置与上述第四有源区域的配置相互一致,
上述半导体装置还具有:
多个上述第一布线,在俯视时排列在上述第二方向上;
第三布线,形成在上述半导体基板上,被供给与上述第一布线不同的电位,且在俯视时配置在多个上述第一布线之间;以及
第四布线,形成在上述半导体基板上,与上述第一开关晶体管的栅电极电连接,并形成在与上述第三布线相同的布线层,
上述第三布线具有第二部分和2个第一部分,其中,上述2个第一部分在俯视时在与上述电源开关电路重叠的位置,沿上述第二方向延伸,上述第二部分沿上述第一方向延伸并连接上述2个第一部分,相比于未与上述电源开关电路重叠的位置上的部分向上述第二方向偏离配置,
在俯视时,上述第四布线的至少一部分位于上述2个第一部分之间。
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