[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910514929.9 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN110634860B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 王文桢;武野纮宜;冈本淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03K17/687;H03K19/094 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王秀辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明提供一种抑制了逻辑电路的特性变动的半导体装置。半导体装置具有:半导体基板;第一标准单元,具备第一有源区域(ASC21)以及第二有源区域(ASC22);以及电源开关电路,该电源开关电路具备第一开关晶体管和第一缓冲器,其中,上述第一开关晶体管电连接在形成在半导体基板上的第一布线与第二布线之间,上述第一缓冲器与第一开关晶体管的栅极连接,并具备第三有源区域(ABU21)以及第四有源区域(ABU22)。在俯视时,第一缓冲器与第一标准单元在第一方向上邻接,在与第一方向不同的第二方向上第一有源区域(ASC21)的配置与第三有源区域(ABU21)的配置相互一致,在第二方向上第二有源区域(ASC22)的配置与第四有源区域(ABU22)的配置相互一致。
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
在半导体装置中包含有各种电路区域,作为电路区域的一个例子有标准单元(Standard cell)区域。在标准单元区域包含各种逻辑电路以及电源开关电路。
电源开关电路例如设置在所供给的Vdd的电位的电源布线与向逻辑电路的晶体管供给VVdd的电源的布线之间,切换针对该晶体管的VVdd的电源电位的供给的开/关。通过使用电源开关电路,在无需使逻辑电路动作时断开电源供给,并抑制在构成逻辑电路的晶体管中产生的漏电电流,而能够减少消耗电力。
专利文献1:美国专利第7142019号说明书
专利文献2:美国专利申请公开第2017/0331472号说明书
专利文献3:日本特开2014-072488号公报
专利文献4:国际公开第2017/208888号
专利文献5:日本特开2011-049477号公报
然而,存在在电源开关电路的周边的逻辑电路中产生特性变动,而该逻辑电路的特性不满足所希望的规格的情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有抑制了特性变动的逻辑电路的半导体装置。
公开的技术所涉及的半导体装置具有:半导体基板;第一标准单元,具备第一有源区域和第二有源区域;以及电源开关电路,具备第一开关晶体管和第一缓冲器,其中,上述第一开关晶体管电连接在形成在上述半导体基板上的第一布线与第二布线之间,上述第一缓冲器与上述第一开关晶体管的栅极连接,并具备第三有源区域和第四有源区域。在俯视时,上述第一缓冲器与上述第一标准单元在第一方向上邻接,在与上述第一方向不同的第二方向上上述第一有源区域的配置与上述第三有源区域的配置相互一致,在上述第二方向上上述第二有源区域的配置与上述第四有源区域的配置相互一致。
根据公开的技术,能够抑制逻辑电路的特性变动。
附图说明
图1是表示第一实施方式的半导体装置的布局的图。
图2是放大表示标准单元区域的一部分的图。
图3是表示电源开关电路的结构的电路图。
图4A是表示第一缓冲器的结构的电路图。
图4B是表示第二缓冲器的结构的电路图。
图5是表示俯视时的第一实施方式中的阱的结构的图。
图6是表示俯视时的第一实施方式中的有源区域与元件分离区域的关系的图。
图7是表示俯视时的第一实施方式中的鳍片、栅电极以及本地布线的结构的图。
图8是表示俯视时的第一实施方式中的第一布线层与栅电极以及本地布线的关系的图。
图9是表示俯视时的第一实施方式中的第二布线层与第一布线层的关系的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的