[发明专利]干法清洗设备和干法清洗方法

说明书

一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月10日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请10-2018-0107944的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

示例实施例涉及一种干法清洗设备和一种干法清洗方法。更具体地，示例性实施例涉及一种用于使用等离子体状态的干法清洗气体执行干法清洗过程的干法清洗设备和使用干法清洗设备的干法清洗方法。

背景技术

即使在小型化并且图案的纵横比增加的情况下，干法清洗(dry cleaning)过程也可以完全去除目标材料。然而，在室温下，处于汽相状态或气相状态的干法清洗气体的化学反应速率可能会降低，从而降低生产率。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口在基板上照射激光，从而加热基板。

根据本发明构思的示例性实施例，一种干法清洗设备包括：具有光学窗口的腔室；基板支撑件，被配置为支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，被配置为穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。

根据本发明构思的示例性实施例，提供如下干法清洗方法。将基板装载到腔室中。通过喷头将干法清洗气体供应到腔室中。从干法清洗气体产生等离子体。通过使等离子体与基板上的蚀刻残留物进行反应来形成清洗过程副产物。将激光照射在基板的表面上以加热基板，从而将清洗过程副产物转变为气态清洗过程副产物。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解示例性实施例。图1至图34表示本文所述的非限制性示例实施例。

图1是示出根据示例实施例的干法清洗设备的框图。

图2是示出图1中的干法清洗设备的喷头的平面图。

图3是沿图2中的线A-A′截取的截面图。

图4是示出图1中的干法清洗设备的激光照射器的视图。

图5是示出由图4中的激光照射器照射的激光的视图。

图6是示出在由图4中的激光照射器在晶片上照射激光时激光的吸收率的曲线图。

图7是示出根据示例实施例的干法清洗设备的框图。

图8是示出图7中的干法清洗设备的喷头的截面图。

图9是示出根据示例实施例的干法清洗设备的激光照射器的视图。

图10是示出图9中的激光照射器的光学掩模的平面图。

图11是示出由图9中的激光照射器在晶片上照射的激光的透视图。

图12是示出根据示例实施例的激光照射器的光学掩模的视图。

图13是示出由图12中的激光照射器在晶片上照射的激光的透视图。

图14是示出根据示例实施例的干法清洗方法的流程图。