[发明专利]FOUP清洗装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种FOUP清洗装置。所述FOUP清洗装置包括：清洗腔，用于容纳FOUP，所述FOUP具有用于容纳晶圆的容纳腔；第一喷嘴，位于所述清洗腔内，用于向所述容纳腔喷射清洗液；驱动结构，用于驱动所述FOUP在所述清洗腔内转动，以排出所述容纳腔内的所述清洗液；第二喷嘴，位于所述清洗腔内，用于向所述容纳腔喷射气体，以干燥残留的所述清洗液。本发明提高了FOUP清洗效率，降低了FOUP在清洗过程中损伤的风险，也节省了清洗过程中的人力成本；而且，减少了FOUP清洗装置整体的占地面积。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种FOUP清洗装置。

背景技术

将IC形成在晶圆上，这必须经历许多的工艺步骤，每个工艺步骤都需要在特定的晶圆处理腔室中进行，在很多情况下，这些晶圆处理腔室都需要保持在真空或是近乎真空的环境下，才能对晶圆进行正常的工艺处理。因此，在晶圆的处理工序中，将晶圆从一个处理腔室转移至另一个处理腔室的过程中，需要大气传送模组(Atmosphere TransferModule，ATM)、气锁(Airlock)、真空传送模组(Vacuum Transfer Module，VTM)、前端开启式同一规格运输腔或者前端开启式通用腔(Front Opening Unified Pod，FOUP)等的协同作用实现。

在半导体制造过程中，FOUP作为晶圆临时存储、以及在各个操作机台之间传输晶圆的工具，起到了极其重要的作用。将晶圆放置于FOUP的密闭腔体内，并保持腔体内环境的稳定与洁净，可以有效避免晶圆与外界环境的直接接触，在确保晶圆处理工艺稳定进行的同时，减少环境因素对晶圆的影响。

保持FOUP装置的清洁，是避免晶圆污染的重要步骤。长时间使用后，FOUP装置内部会残留灰尘、金属等污垢，因此，需要对FOUP装置进行定期清洁。现有的FOUP装置清洗系统由一个清洗剂槽、三个纯水漂洗槽和一个干燥槽组成。这就使得整个FOUP装置清洗系统的占地面积较大，对于寸土寸金的洁净室来说，无疑是增加了半导体制造的成本。且在各个槽之间转移FOUP装置的操作费时费力，降低了FOUP装置的清洗效率。另外，多次转移也增大了FOUP装置与槽壁碰撞的风险，易导致FOUP装置的损伤。

因此，如何提高FOUP的清洗效率，同时减小FOUP清洗装置的占地面积，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种FOUP清洗装置，用于解决现有的FOUP清洗装置清洗效率较低、占地面积较大的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种FOUP清洗装置，包括：

清洗腔，用于容纳FOUP，所述FOUP具有用于容纳晶圆的容纳腔；

第一喷嘴，位于所述清洗腔内，用于向所述容纳腔喷射清洗液；

驱动结构，用于驱动所述FOUP在所述清洗腔内转动，以排出所述容纳腔内的所述清洗液；

第二喷嘴，位于所述清洗腔内，用于向所述容纳腔喷射气体，以干燥残留的所述清洗液。

优选的，所述清洗腔包括相对分布的顶壁和底壁；所述FOUP清洗装置还包括：

升降柱，一端与所述顶壁连接、另一端安装有超声波发生器，且所述升降柱能够沿竖直方向进行升降运动。

优选的，所述FOUP包括相对分布的前部、后部以及位于所述前部和后部之间且相对分布的顶部和底部，所述前部具有用于晶圆进出的开口；

所述清洗腔还包括位于所述顶壁与所述底壁之间、且相对分布的第一侧壁和第二侧壁；

所述第二侧壁表面具有一支架，用于与所述FOUP的底部连接；