[发明专利]一种超稳定三电极电子束蒸发源

说明书

本发明提供了一种超稳定三电极电子束蒸发源，用于解决现有技术中电子束蒸发装置结构复杂、电子束源存在加热不均匀、蒸发材料容易污染灯丝、电子束轨迹控制方法复杂的问题，包括：靶材、灯丝和支撑基座；其中，靶材固定至支撑基座；灯丝为耐高温金属材料，固定至支撑基座，设置于靶材上方，灯丝接通负电；实施本发明的技术方案，在靶材和灯丝间设置反射板，可便捷地实现对电子束轨迹的控制，并且减缓灯丝被污染的速度、延长装置寿命、简化装置结构、降低装置的放气率；反射板接通负电并且负电电压设置为可连续调节的，利于实现靶材端部的匀速蒸发，增加蒸发源适用的靶材种类、提高装置兼容性。

技术领域

本发明涉及电子束蒸发源领域，特别涉及一种超稳定三电极电子束蒸发源。

背景技术

电子束蒸发是使用电子轰击靶材，实现靶材蒸发的物理气相沉积手段，可用来制备高纯薄膜材料以应用于电子芯片制造或科学研究以及其他领域。电子束的控制方法主要分为带磁场的e型电子束源和不带磁场的普通电子束源。e型电子束源由于使用磁场和电场耦合的方式控制电子，所以结构复杂，造价昂贵。而普通电子束源不使用磁场，因此结构简单，使用方便。现有技术中，普通电子束源存在加热不均匀、蒸发材料容易污染灯丝、电子束轨迹控制方法复杂的问题。

因此需要一种结构简单、电子束方向可控、靶材蒸发稳定的电子束蒸发源。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明中披露了一种超稳定三电极电子束蒸发源，本发明的技术方案是这样实施的：

一种超稳定三电极电子束蒸发源，包括：靶材、灯丝和支撑基座；其中，所述靶材固定至所述支撑基座；所述灯丝为耐高温金属材料，固定至所述支撑基座，设置于所述靶材上方，所述灯丝接通负电。

优选地，所述超稳定三电极电子束蒸发源，还包括沿靶材延伸方向设置于所述灯丝与所述靶材之间的反射板。

优选地，所述靶材接地或接通正电，所述灯丝接通的负电电压设置为所述灯丝与所述靶材的电势差大于500V的。

优选地，所述反射板接地。

优选地，所述反射板接通负电。

优选地，所述反射板接通的负电电压为可连续调节的。

优选地，所述反射板接通的负电电压，在[-400V,0]范围内。

优选地，所述灯丝线圈的边缘和所述反射板的边缘处于平行于靶材方向的同一平面内。

优选地，所述反射板使用耐高温材料，材料包括钽、钼或钨。

优选地，所述超稳定三电极电子束蒸发源，还包括载物坩埚，所述载物坩埚固定至所述支撑基座，所述靶材设置于所述载物坩埚内。

实施本发明的技术方案可解决现有技术中电子束蒸发装置结构复杂、电子束源存在加热不均匀、蒸发材料容易污染灯丝、电子束轨迹控制方法复杂的问题；实施本发明的技术方案，在靶材和灯丝间设置反射板，可便捷地实现对电子束轨迹的控制，并且减缓灯丝被污染的速度、延长装置寿命、简化装置结构、降低装置的放气率；反射板接通负电并且负电电压设置为可连续调节的，利于实现靶材端部的匀速蒸发，增加蒸发源适用的靶材种类、提高装置兼容性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一种实施例学，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例1的蒸发源结构示意图；

图2为本发明的实施例2的蒸发源结构示意图。

在上述附图中，各图号标记分别表示：