[发明专利]涂布膜形成方法和涂布膜形成装置

说明书

本发明涉及一种涂布膜形成方法和涂布膜形成装置。提供一种使形成于在表面具有具备高度差的图案的基板的表面整体的涂布膜的表面平坦化的技术。涂布膜形成方法的特征在于，包括以下的工序：涂布膜形成工序，向在表面具有具备高度差的图案的基板的该表面整体供给涂布液来形成涂布膜；加压工序，利用具备覆盖被保持于第一保持部的所述基板的表面整体的平坦面的加压部，使所述平坦面相对地按压所述基板的涂布膜；以及涂布膜固化工序，使表面被平坦化后的所述涂布膜固化。

技术领域

本公开涉及一种在基板形成涂布膜的技术。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，有时进行在具有具备高度差的图案的基板上形成涂布膜的工序。在这样的涂布膜层叠抗蚀膜并通过光刻法形成图案，近年来从提高光刻法的精度的观点出发要求涂布膜的表面的平坦性。

在专利文献1中记载了一种对形成于半导体晶圆的涂布膜进行加热的加热装置。该加热装置具备分别与多个加热模块的排气口连接的单独排气路、以及以使各单独排气路共用的方式设置于各单独排气路的下游端的共用排气路。另外，设置有从各单独排气路分支出来并从加热模块的外部获取气体的分支路。而且，通过设置于各分支路的风门的开闭，来调整来自各加热模块的排气口的排气量。通过该排气量的调整，实现了晶圆面内的涂布膜的膜厚度均匀性的提高。

专利文献1：日本特开2016-39369号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开是鉴于这样的情况而完成的，提供一种使形成于在表面具有具备高度差的图案的基板的表面整体的涂布膜的表面平坦化的技术。

用于解决问题的方案

本公开的涂布膜形成方法的特征在于，包括以下的工序：涂布膜形成工序，向在表面具有具备高度差的图案的基板的该表面整体供给涂布液来形成涂布膜；加压工序，利用具备覆盖被保持于第一保持部的所述基板的表面整体的平坦面的加压部，使所述平坦面相对地按压所述基板的涂布膜；以及涂布膜固化工序，使表面被平坦化后的所述涂布膜固化。

发明的效果

根据本公开，能够使形成于在表面具有具备高度差的图案的基板的表面整体的涂布膜的表面平坦化。

附图说明

图1是本公开的实施方式所涉及的SOC膜涂布装置的俯视图。

图2是本公开的实施方式所涉及的SOC膜涂布装置的纵剖侧视图。

图3是本公开的实施方式所涉及的加压模块的主视图。

图4是本公开的实施方式所涉及的分离模块的主视图。

图5是本公开的实施方式所涉及的紫外线照射模块的纵剖图。

图6是说明利用本公开的涂布模块进行的SOC膜的涂布的说明图。

图7是说明本公开的加压模块的作用的说明图。

图8是说明本公开的加压模块的作用的说明图。

图9是说明本公开的加压模块的作用的说明图。

图10是说明本公开的加压模块的作用的说明图。

图11是说明本公开的加压模块的作用的说明图。

图12是说明本公开的加压模块的作用的说明图。

图13是表示分离模块中的加压板与晶圆的分离的说明图。

图14是表示UV照射模块的作用的说明图。