[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；

在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；

刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部，在所述鳍部内沟槽；

在所述沟槽内填充满应力层；

在所述应力层上形成层间介电层；

刻蚀去除所述层间介电层以及部分厚度的所述应力层；

在刻蚀后的所述应力层上形成导电层。

2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀后的所述应力层的表面呈“W”型或“波浪”型。

3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力层为单层结构或叠层结构。

4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力层为叠层结构时，所述应力层包括第一应力层、第二应力层以及第三应力层，在所述沟槽内形成所述第一应力层，在所述第一应力层上形成所述第二应力层，在所述第二应力层上形成所述第三应力层。

5.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料包括硅锗。

6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二应力层的材料中含有锗的浓度大于所述第一应力层和所述第三应力层的材料中含有锗的浓度。

7.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用外延生长方式形成所述应力层。

8.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料包括铜、钛、钨、铝中的一种或多种。

9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述应力层上形成层间介电层之后，刻蚀去除所述层间介电层以及部分厚度的所述应力层之前，还包括去除所述伪栅结构，形成金属栅极结构。

10.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括侧墙，形成在所述伪栅结构的侧壁上。

11.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括硬掩膜层，形成在所述伪栅结构的顶部。

12.一种采用权利要求1至11任一项方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上；

伪栅结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部；

沟槽，位于所述伪栅结构两侧的所述鳍部内；

应力层，填充在所述沟槽内；

导电层，位于所述应力层上。

13.如权利要求12所述半导体器件，其特征在于，所述应力层的顶部表面呈“W”型或“波浪”型，所述导电层的底部嵌入到所述应力层的顶部表面。

14.如权利要求12所述半导体器件，其特征在于，所述应力层为叠层结构，所述应力层包括第一应力层、第二应力层和第三应力层，所述第一层应力层位于所述沟槽的侧壁和底部，所述第二层应力层位于所述第一应力层的底部和侧壁，所述第三应力层位于所述第二应力层上。