[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成第一管芯结构，所述第一管芯结构包括接合至载体的第一管芯堆叠件和堆叠的伪结构；

形成第二管芯结构，所述第二管芯结构包括第一集成电路管芯；

通过将所述第一管芯堆叠件的最顶集成电路管芯接合至所述第一集成电路管芯，将所述第一管芯结构接合至所述第二管芯结构，所述第一管芯堆叠件的所述最顶集成电路管芯是所述第一管芯堆叠件距离所述载体最远的集成电路管芯；以及

对所述第一管芯结构实施分割工艺以形成多个单独的管芯结构，其中，所述分割工艺将所述堆叠的伪结构分割成多个单独的堆叠的伪结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一管芯结构包括：

将第二集成电路管芯的前侧接合至所述载体；

将第一伪结构接合至邻近所述第二集成电路管芯的所述载体；

在所述第二集成电路管芯和所述第一伪结构密封在第一密封剂中；

将第三集成电路管芯的前侧接合至所述第二集成电路管芯的背侧，所述第二集成电路管芯的背侧与所述第二集成电路管芯的前侧相对；

将第二伪结构接合至所述第一伪结构；以及

将所述第三集成电路管芯和所述第二伪结构密封在第二密封剂中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用熔融接合方法将所述第二集成电路管芯的前侧接合至所述载体。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，使用混合接合方法将所述第三集成电路管芯的前侧接合至所述第二集成电路管芯的背侧。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，使用熔融接合方法将所述第二伪结构接合至所述第一伪结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用混合接合方法将所述第一管芯堆叠件的所述最顶集成电路管芯接合至所述第一集成电路管芯。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述堆叠的伪结构被配置为散热结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一管芯结构还包括接合至所述载体的第二管芯堆叠件，并且其中，所述堆叠的伪结构设置在所述第一管芯堆叠件和所述第二管芯堆叠件之间的所述载体的划线上方。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成第一管芯结构，所述第一管芯结构包括接合至载体的管芯堆叠件；

形成第二管芯结构，所述第二管芯结构包括第一集成电路管芯；

通过将所述管芯堆叠件的最顶集成电路管芯接合至所述第一集成电路管芯，将所述第一管芯结构接合至所述第二管芯结构，所述管芯堆叠件的所述最顶集成电路管芯是所述管芯堆叠件距离所述载体最远的集成电路管芯；

将第一伪结构接合至邻近所述第一管芯结构的所述第二管芯结构；

将所述第一管芯结构密封在第一密封剂中；以及

对所述第二管芯结构实施分割工艺以形成多个单独的管芯结构，其中，所述分割工艺将所述第一伪结构分割成多个单独的伪结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一管芯结构包括：

将第二集成电路管芯的前侧接合至所述载体；

将所述第二集成电路管芯密封在第二密封剂中；

将第三集成电路管芯的前侧接合至所述第二集成电路管芯的背侧，所述第二集成电路管芯的背侧与所述第二集成电路管芯的前侧相对；以及

将所述第三集成电路管芯密封在第三密封剂中。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，使用混合接合方法将所述管芯堆叠件的所述最顶集成电路管芯接合至所述第一集成电路管芯。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，使用熔融接合方法将所述第一伪结构接合至所述第二管芯结构。