[发明专利]电子装置、存储器装置及其存储器单元的写入操作方法

说明书

十二晶体管(12T)存储器单元用于存储器装置，其中，所述存储器装置包括：传输门、可操作地连接到所述传输门的交叉耦合反相器电路、和可操作地连接到所述交叉耦合反相器电路的三态反相器。所述交叉耦合反相器包括交叉耦合的另一三态反相器和反相器电路。公开了用于12T存储器单元的各种操作以及执行这些操作的电路。本发明的实施例还提供了电子装置和存储器装置的存储器单元的写入操作方法。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地涉及电子装置、存储器装置及其存储器单元的写入操作方法。

背景技术

静态随机存取存储器(SRAM)是使用双稳态电路以位形式存储数据而不需要刷新的一种类型的半导体存储器。存储器阵列包括布置为多行或多列的多个存储器单元。每个存储器单元通常包括与电源电压和参考电压的连接。位线(BL)用于访问存储器单元，其中，字线(WL)控制与位线的连接。字线通常耦合到存储器阵列的行中的存储器单元，其中不同的字线设置为用于不同行。

一些SRAM存储器单元包括连接在上参考电位和下参考电位之间的晶体管，其中两个存储节点中的一个存储要存储的数据(如“1”)，存储节点中的另一个存储互补数据(如“0”)。例如，一种典型的SRAM存储器单元布置包括6个晶体管(“6T”)。SRAM单元中的每位存储在多个晶体管中的四个晶体管上，其中，该四个晶体管形成两个交叉耦合反相器。另外两个晶体管连接到存储器单元字线，以在读取和写入操作期间，通过选择性地将单元连接到其位线来控制对存储器单元的访问。

在某些情况下，由于写入能力、读稳定性和读取能力问题，所以6T存储器单元在低电压电平下可能无法适当地工作。可选存储器单元设计可以在低电压电平下工作，但这些设计中的一些存在其他问题。例如，存储器单元设计可能会消耗存储器阵列中更大数量的面积，或者至少部分地基于存储器单元的布局制造存储器单元可能会面临困难。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种存储器装置，包括：存储器单元，包括：传输门；交叉耦合反相器电路，可操作地连接到所述传输门，所述交叉耦合反相器包括交叉耦合的第一三态反相器和反相器；以及第二三态反相器，可操作地连接到所述交叉耦合反相器电路。

根据本发明的另一方面，提供了一种对存储器装置中的存储器单元执行写入操作的方法，所述方法包括：基于地址，从与所述地址相关联的存储器单元中读取数据；将所述数据存储在第一存储装置中；接收要写入所述存储器单元的输入数据；将所述输入数据存储在第二存储装置中；接收与所述存储器单元相关联的掩码数据，所述掩码数据指示写入操作是掩码写入操作还是非掩码写入操作；当所述掩码数据表示所述写入操作是所述掩码写入操作时，接收存储在所述第一存储装置中的数据并将所述数据写入所述存储器单元中；以及当所述掩码数据指示所述写入操作是所述非掩码写入操作时，接收存储在所述第二存储装置中的输入数据并将所述输入数据写入所述存储器单元中。

根据本发明的又一方面，提供了一种电子装置，包括：处理装置；以及存储器装置，可操作地连接到所述处理装置，所述存储器装置包括：存储器单元，包括：传输门；交叉耦合反相器电路，可操作地连接到所述传输门，所述交叉耦合反相器电路包括与所述反相器交叉耦合的第一三态反相器；和第二三态反相器，可操作地连接到所述交叉耦合反相器电路。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据以下详细的描述来更好地理解本发明的各个方面。注意，根据工业的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，可以任意地增加或减小各个部件的尺寸；

图1示出了根据一些实施例的存储器单元的示意图；

图2示出了根据一些实施例的图1中所示的存储器单元的示例性布局；

图3示出了根据一些实施例的示例性存储器装置的框图；

图4示出了将输入数据写入一个或多个存储器单元的示例性方法的流程图；