[发明专利]非易失性存储器设备及该非易失性存储器设备的读写方法有效

专利信息
申请号: 201910519880.6 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110619909B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 姜奭准;朴镇寿;严浩锡 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 设备 读写 方法
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器设备,该非易失性存储器设备包括:

存储器单元,该存储器单元联接在全局位线和全局字线之间;

位线控制电路,该位线控制电路被配置为基于读信号将位线读偏置电压施加到所述全局位线;

回跳检测电路,该回跳检测电路联接到所述全局字线,并且被配置为通过检测所述存储器单元的回跳来生成数据输出信号和电流使能信号;以及

字线控制电路,该字线控制电路被配置为基于所述读信号将字线读偏置电压施加到所述全局字线,并且基于所述电流使能信号增加流过所述存储器单元的电流量,

其中,所述字线控制电路包括:回跳电流发生单元,该回跳电流发生单元被配置为基于所述读信号控制第一电流流过所述全局字线;以及附加电流发生单元,该附加电流发生单元被配置为基于所述电流使能信号控制附加电流流过所述全局字线。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,

其中,所述位线读偏置电压与所述字线读偏置电压之间的电压电平差与读电压的电压电平对应,并且

其中,所述读电压具有与设定分布最大电压与重置分布最小电压之间的电压对应的电压电平。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,

其中,当发生所述存储器单元的回跳时,所述回跳检测电路启用所述电流使能信号并且所述字线控制电路增加流过所述存储器单元的电流量,并且

其中,当没有发生所述存储器单元的回跳时,所述回跳检测电路禁用所述电流使能信号。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,所述回跳检测电路包括:

感测单元,该感测单元被配置为基于所述全局字线的电压电平来改变感测节点的电压电平;

数据输出单元,该数据输出单元被配置为基于所述感测节点的电压电平和所述读信号来生成所述数据输出信号;以及

电流使能信号发生单元,该电流使能信号发生单元被配置为基于所述感测节点的电压电平来生成所述电流使能信号。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器设备,该非易失性存储器设备还包括初始化单元,该初始化单元被配置为基于所述读信号将所述感测节点的电压电平和所述电流使能信号初始化。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储器设备,该非易失性存储器设备还包括锁存单元,该锁存单元被配置为当所述电流使能信号被启用时维持所述电流使能信号的电压电平的启用状态。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,流过所述存储器单元的增加的电流是用于将所述存储器单元维持在低电阻状态的退火电流。

8.一种非易失性存储器设备,该非易失性存储器设备包括:

存储器单元,该存储器单元联接在全局位线和全局字线之间;

位线控制电路,该位线控制电路被配置为基于读信号将位线读偏置电压施加到所述全局位线;

回跳检测电路,该回跳检测电路联接到所述全局字线,并且被配置为通过检测所述存储器单元的回跳来生成数据输出信号和电流使能信号;以及

字线控制电路,该字线控制电路被配置为基于所述读信号将字线读偏置电压施加到所述全局字线,并且基于所述电流使能信号增加流过所述存储器单元的电流量,

其中,所述字线控制电路包括:第一低电压供应单元,该第一低电压供应单元被配置为基于所述读信号将所述全局字线驱动至所述字线读偏置电压的电压电平;以及第二低电压供应单元,该第二低电压供应单元被配置为基于所述电流使能信号将所述全局字线驱动至低于所述字线读偏置电压的第一低电压的电压电平。

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