[发明专利]一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备有效
申请号: | 201910520928.5 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110265348B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 符鞠建 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;H01L33/48 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转运 发光二极管 方法 设备 | ||
1.一种转运基板,其特征在于,包括:基底,位于所述基底一侧的反射层,位于所述反射层背离所述基底一侧的光学转换层,位于所述光学转换层背离所述反射层一侧的感光减粘膜;
所述光学转换层,用于将发光二极管发出的一定波长范围的光线转换为非可见光;
所述感光减粘膜,用于粘合所述发光二极管,并在非可见光照射后粘度降低以释放所述发光二极管。
2.如权利要求1所述的转运基板,其特征在于,还包括:多个接触电极;
所述感光减粘膜在背离所述基底的一侧具有与所述接触电极一一对应的多个凹槽;
每一个所述接触电极嵌入到对应的所述凹槽内,且所述接触电极远离所述基底的一侧与所述感光减粘膜远离所述基底的一侧平齐。
3.如权利要求2所述的转运基板,其特征在于,所述接触电极在所述基底上的正投影的面积为第一面积;
将要粘合到所述感光减粘膜上的所述发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极,所述引出电极的表面积为第二面积;
所述第一面积小于所述第二面积。
4.如权利要求1所述的转运基板,其特征在于,所述感光减粘膜为多层。
5.如权利要求1所述的转运基板,其特征在于,所述非可见光为紫外光,所述光学转换层包括上转换材料;或,
所述非可见光为红外光,所述光学转换层包括下转换材料。
6.如权利要求1所述的转运基板,其特征在于,所述光学转换层的材料为掺杂稀土离子的化合物。
7.如权利要求6所述的转运基板,其特征在于,所述化合物为氧化物。
8.如权利要求6所述的转运基板,其特征在于,所述化合物为卤化物。
9.一种发光二极管的转运方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板;所述阵列基板包括多个接触区域,每一个所述接触区域对应一个发光二极管;
采用如权利要求1~5任一项所述的转运基板,在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个发光二极管;
将所述转运基板移动到对应于所述阵列基板的位置处,且所述转运基板粘合有所述发光二极管的一面与所述阵列基板具有所述接触区域的一面相对;
将所述转运基板上的各所述发光二极管与所述阵列基板上的各所述接触区域进行对位并压合,使所述发光二极管的引出电极与对应的接触区域接触;
驱动各所述发光二极管发光,并在正常的所述发光二极管脱离所述转运基板后,移走所述转运基板。
10.如权利要求9所述的转运方法,其特征在于,将要转运的所述发光二极管具有位于同侧的两个引出电极;所述阵列基板上的每一个所述接触区域包括两个驱动电极;
所述驱动各所述发光二极管发光,包括:
向所述阵列基板上的各所述驱动电极施加驱动电压。
11.如权利要求9所述的转运方法,其特征在于,将要转运的所述发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极;
所述在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个发光二极管,包括:
在所述转运基板具有感光减粘膜的一侧粘合多个所述发光二极管,使每一个与所述感光减粘膜接触的所述引出电极的一部分与所述感光减粘膜接触,另一部分与对应的接触电极接触。
12.如权利要求11所述的转运方法,其特征在于,所述阵列基板上的每一个所述接触区域包括一个驱动电极;
所述驱动各所述发光二极管发光,包括:
分别向所述阵列基板上的各所述驱动电极以及所述转运基板上的各接触电极施加驱动电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造