[发明专利]一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备

说明书

本发明公开了一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备，该转运基板，包括：基底，位于基底一侧的反射层，位于反射层背离基底一侧的光学转换层，位于光学转换层背离反射层一侧的感光减粘膜；光学转换层，用于将一定波长范围的光线转换为非可见光；感光减粘膜，用于粘合发光二极管，并在非可见光照射后粘度降低以释放发光二极管。采用上述转运基板可以同时完成发光二极管的转运和检测，在绑定工艺之前发现并移走异常发光的发光二极管，避免了异常发光的发光二极管很难取下以及激光切割工艺损坏阵列基板等问题，简化了转运工艺制程，并提高了转运的良率和效率。此外，无需额外增加非可见光的光源，结构简单，检测成本较低。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备。

背景技术

随着发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发展，微型发光二极管(Micro-LED)显示技术成为未来显示技术的热点之一，这是由于Micro-LED的尺寸为微米量级，具有能够独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和高色彩度等特点，但Micro-LED显示技术的技术难点比较多，尤其是巨量转移技术。

对Micro-LED进行转运的工艺流程一般为：将Micro-LED转运到阵列基板上，将Micro-LED的电极绑定(bonding)到阵列基板上，控制Micro-LED发光以进行点亮检测，采用激光切断Micro-LED的电极与阵列基板的电连接，从而将发光异常的Micro-LED去除，然后再去除异常Micro-LED的位置处补充正常的Micro-LED。

然而，在Micro-LED转运过程中，由于先将Micro-LED绑定在阵列基板上，再进行点亮检测，异常发光的Micro-LED很难取下，并且利用激光切割容易导致阵列基板被损坏，例如阵列基板的电路被损坏，导致阵列基板异常。

发明内容

本发明实施例提供了一种转运基板、发光二极管的转运方法及转运设备，用以解决现有技术中存在的Micro-LED转运过程中，异常发光的Micro-LED很难取下，并且利用激光切割容易损坏阵列基板的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种转运基板，包括：基底，位于所述基底一侧的反射层，位于所述反射层背离所述基底一侧的光学转换层，位于所述光学转换层背离所述反射层一侧的感光减粘膜；

所述光学转换层，用于将一定波长范围的光线转换为非可见光；

所述感光减粘膜，用于粘合发光二极管，并在非可见光照射后粘度降低以释放所述发光二极管。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，还包括：多个接触电极；

所述感光减粘膜在背离所述基底的一侧具有与所述接触电极一一对应的多个凹槽；

每一个所述接触电极嵌入到对应的所述凹槽内，且所述接触电极远离所述基底的一侧与所述感光减粘膜远离所述基底的一侧平齐。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述接触电极在所述基底上的正投影的面积为第一面积；

将要粘合到所述感光减粘膜上的所述发光二极管具有分布于两侧的两个引出电极，所述引出电极的表面积为第二面积；

所述第一面积小于所述第二面积。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述感光减粘膜为多层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转运基板中，所述非可见光为紫外光，所述光学转换层包括上转换材料；或，

所述非可见光为红外光，所述光学转换层包括下转换材料。