[发明专利]分析半导体结构的方法

说明书

本发明实施例涉及一种分析半导体结构的方法，其包含：将半导体结构装载于载物台上；提供安置于所述半导体结构及所述载物台上方的检测器；施加电压到所述半导体结构；通过所述检测器识别处于大体上大于预定阈值的温度的所述半导体结构的一部分；在识别所述半导体结构的所述部分之后旋转所述载物台且记录所述载物台的旋转；及基于所述载物台的所述旋转导出所述半导体结构的所述部分的位置。

技术领域

本发明实施例涉及分析半导体结构的方法。

背景技术

随着电子科技的进展，半导体装置的大小变得越来越小，同时具有更大的功能性及更大集成电路数量。因半导体装置的小型化规模，数个半导体组件经组装于半导体装置上。此外，在这个小半导体装置内实施许多制造操作。

在制造半导体装置之后，在递送之前执行半导体装置的检测。半导体装置必须经历故障分析以找到缺陷及原因，以便改进所述半导体装置的制造及可靠性。然而，小型化规模半导体装置变得更复杂。因而，半导体装置的故障分析可遇到挑战。例如，可能难以准确确定故障位置。

因而，不断需要修改且改进半导体装置的测试及分析。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：将半导体结构装载于载物台上；提供安置于所述半导体结构及所述载物台上方的检测器；施加电压到所述半导体结构；通过所述检测器识别处于大体上大于预定阈值的温度的所述半导体结构的一部分；在识别所述半导体结构的所述部分之后旋转所述载物台且记录所述载物台的旋转；及基于所述载物台的所述旋转导出所述半导体结构的所述部分的位置。

本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：将半导体结构装载于载物台上；提供检测器；施加电压到所述半导体结构；通过所述检测器识别处于大体上大于预定阈值的温度的所述半导体结构的一部分；在识别所述半导体结构的所述部分之后旋转所述检测器且记录所述检测器的旋转；及基于所述检测器的所述旋转导出所述半导体结构的所述部分的位置。

本发明的一实施例涉及一种方法，其包括：将半导体结构装载于载物台上；提供检测器；施加电压到所述半导体结构；通过所述检测器识别处于大体上大于预定阈值的温度的所述半导体结构的一部分；在识别所述半导体结构的所述部分之后旋转所述载物台且记录所述载物台的旋转；在识别所述半导体结构的所述部分之后使所述检测器围绕所述载物台旋转且记录所述检测器的旋转；及基于所述载物台的所述旋转及所述检测器的所述旋转导出所述半导体结构的所述部分的位置。

附图说明

当结合附图阅读时，从下列实施方式最好地理解本发明实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。实际上，为清晰论述，各种构件的尺寸可任意增大或减小。

图1是根据本发明实施例的一些实施例的用于分析半导体结构的设备的示意性等角视图。

图2是根据本发明实施例的一些实施例的分析半导体结构的方法的流程图。

图3到7是根据本发明实施例的一些实施例的通过图2的方法分析半导体结构的示意性等角视图。

图8是根据本发明实施例的一些实施例的分析半导体结构的方法的流程图。

图9到13是根据本发明实施例的一些实施例的通过图8的方法分析一导体结构的示意性等角视图。

图14是根据本发明实施例的一些实施例的分析半导体结构的方法的流程图。

图15到19是根据本发明实施例的一些实施例的通过图14的方法分析半导体结构的示意性等角视图。

具体实施方式