[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池，包括：

基板，其具有光接收表面和背表面；

第一导电类型的第一多晶硅发射极区，其设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的背表面上；

第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区，其设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的背表面上，所述第二多晶硅发射极区的一部分还形成在所述第一多晶硅发射极区的一部分上方，其中，所述第二多晶硅发射极区是第二导电类型的无气泡的多晶硅发射极区；

第三薄介电层，其直接侧向设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区之间；

第一导电触点结构，其设置在所述第一多晶硅发射极区上；以及

第二导电触点结构，其设置在所述第二多晶硅发射极区上。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中，所述第一多晶硅发射极区是第一导电类型的无气泡的多晶硅发射极区。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，还包括：

绝缘层，其设置在所述第一多晶硅发射极区上，其中，所述第一导电触点结构设置为穿过所述绝缘层，并且其中，所述第二多晶硅发射极区的一部分与所述绝缘层重叠但与所述第一导电触点结构分离。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，还包括：

绝缘层，其设置在所述第一多晶硅发射极区上；以及

第二导电类型的多晶硅层，其设置在所述绝缘层上，其中，所述第一导电触点结构设置为穿过所述第二导电类型的多晶硅层以及穿过所述绝缘层。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中，所述第二多晶硅发射极区和所述第二薄介电层设置在凹陷部中，所述凹陷部设置在所述基板中。

6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其中，所述凹陷部具有纹理化表面。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中，所述第一多晶硅发射极区和所述第一薄介电层设置在所述基板的背表面的平坦部分上，并且其中，所述第二多晶硅发射极区和所述第二薄介电层设置在所述基板的背表面的纹理化部分上。

8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中，所述第一导电触点结构和所述第二导电触点结构各自包括分别设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区上的铝基金属晶种层，并且所述第一导电触点结构和所述第二导电触点结构各自还包括设置在所述铝基金属晶种层上的金属层。

9.一种背接触太阳能电池，包括：

基板，其具有光接收表面和背表面；

第一导电类型的第一多晶硅发射极区，其设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的背表面上，其中，所述第一多晶硅发射极区是第一导电类型的无气泡的多晶硅发射极区；

第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区，其设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的背表面上，所述第二多晶硅发射极区的一部分还形成在所述第一多晶硅发射极区的一部分上方；

第三薄介电层，其直接侧向设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区之间；

第一导电触点结构，其设置在所述第一多晶硅发射极区上；以及

第二导电触点结构，其设置在所述第二多晶硅发射极区上。

10.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池，还包括：

绝缘层，其设置在所述第一多晶硅发射极区上，其中，所述第一导电触点结构设置为穿过所述绝缘层，并且其中，所述第二多晶硅发射极区的一部分与所述绝缘层重叠但与所述第一导电触点结构分离。

11.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池，还包括：

绝缘层，其设置在所述第一多晶硅发射极区上；以及

第二导电类型的多晶硅层，其设置在所述绝缘层上，其中，所述第一导电触点结构设置为穿过所述第二导电类型的多晶硅层以及穿过所述绝缘层。