[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅

说明书

本发明提供了制造太阳能电池的方法。在一个实施例中，制造太阳能电池的方法包括在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对。所述方法还包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层。所述方法还包括通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层。所述方法还包括对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层。所述方法还包括由所述均质多晶硅层形成发射极区。

本申请是基于2017年9月25日提交的、申请号为201680018248.8、发明创造名称为“用于太阳能电池的无气泡的多晶硅”的中国专利申请的分案申请

技术领域

本公开的实施例属于可再生能源领域，并且具体地讲，涉及制造太阳能电池的方法以及所得的太阳能电池。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p型区和n型区从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。

附图说明

图1A和图1B示出了根据本公开的一个实施例的太阳能电池制造中的不同阶段的剖视图。

图2为根据本公开的实施例的流程图，该流程图列出了与图1A和图1B相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。

图3示出了根据本公开的实施例的背接触太阳能电池的一部分的剖视图。

图4示出了根据本公开的另一个实施例的背接触太阳能电池的一部分的剖视图。

图5为根据本公开的实施例的流程图，该流程图列出了与图6A-6F相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。

图6A-6F示出了根据本公开的实施例的太阳能电池制造中的各个阶段的剖视图。

图7A-7C示出了根据本公开的实施例使用无气泡的多晶硅层沉积工艺制造太阳能电池的方法中的各种处理操作的剖视图。

图8示意性地示出了沉积工艺的剖视图：(a)根据本公开的实施例的限制掩模图案铺展的沉积工艺，以及与(b)受到掩模图案铺展困扰的其它方法的比较。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或语境：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。