[发明专利]用于连结材料的方法、板轴装置和以此形成的多层板在审
| 申请号： | 201910523867.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110281350A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | A·G·埃利奥特;B·D·A·埃利奥特;F·巴尔马;R·E·舒斯特;D·G·雷克斯;A·维伊特泽 | 申请（专利权）人： | 部件再设计股份有限公司 |
| 主分类号： | B28B1/16 | 分类号： | B28B1/16;B28B1/30;C04B37/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李东晖 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷件 连结材料 连结 含氧气氛 加热器 铝合金钎焊 衬底处理 静电卡盘 氮化铝 板轴 多层 钎焊 受控 室内 流动 | ||
1.一种用于用具有第一界面区的由第一陶瓷材料制成的第一陶瓷半导体处理装备件和具有第二界面区的由第二陶瓷材料制成的第二陶瓷半导体处理装备件制造半导体处理装备的方法，所述方法包括：在所述第一界面区和所述第二界面区之间放置含有按重量计算多于89％的铝的铝钎焊元件；将所述第一陶瓷半导体处理装备件和所述第二陶瓷半导体处理装备件及其之间的所述铝钎焊元件放置到处理室中；从所述处理室除氧；以及，将至少所述铝钎焊元件加热到至少800℃的连结温度，从而在所述第一陶瓷半导体处理装备件和所述第二陶瓷半导体处理装备件之间形成气密密封的铝连结部，所述气密密封的铝连结部具有大于零的厚度；并且所述方法没有扩散粘合。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一陶瓷半导体处理装备件和所述第二陶瓷半导体处理装备件中的一者或二者包括氮化铝。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铝钎焊元件含有按重量计算多于99％的铝。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述处理室除氧的步骤包括：将小于5x10E-5托或小于1x10E-4托的压力施加到所述处理室。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，将至少所述铝钎焊元件加热到至少800℃的连结温度的步骤包括：将至少所述铝钎焊元件加热到介于800℃和1200℃之间或介于800℃和1300℃之间的温度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述处理室除氧的步骤包括：用纯脱水惰性气体对所述处理室进行净化和再填充。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铝钎焊元件在钎焊之前具有大于所述气密密封的铝连结部的厚度的厚度。
8.一种半导体处理装备，所述半导体处理装备包括具有第一界面区的由第一陶瓷材料制成的第一陶瓷半导体处理装备件、具有第二界面区的由第二陶瓷材料制成的第二陶瓷半导体处理装备件、以及由含有按重量计算多于89％的铝的铝钎焊元件形成的在所述第一陶瓷半导体处理装备件与所述第二陶瓷半导体处理装备件之间的气密密封的铝连结部，所述铝钎焊元件设置在所述第一界面区和所述第二界面区之间，所述气密密封的铝连结部具有大于零的厚度，并且所述第一陶瓷半导体处理装备件与所述第二陶瓷半导体处理装备件没有铝钎焊元件的扩散。
9.根据权利要求8所述的半导体处理装备，其中，所述第一陶瓷半导体处理装备件和所述第二陶瓷半导体处理装备件中的一者或二者包括氮化铝。
10.根据权利要求8所述的半导体处理装备，其中，所述铝钎焊元件含有按重量计算多于99％的铝。
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