[发明专利]包括扩散中断区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括第一区和第二区；

多个第一有源鳍，在所述第一区上沿第一方向延伸；

多个第二有源鳍，在所述第二区上与所述多个第一有源鳍平行地延伸；

多个单扩散中断区，在所述多个第一有源鳍中的两个第一有源鳍之间，所述多个单扩散中断区在所述第一方向上彼此间隔开；

下扩散中断区，在所述多个第二有源鳍中的两个第二有源鳍之间，并且沿不同于所述第一方向的第二方向延伸；以及

在所述下扩散中断区上的多个上扩散中断区，所述多个上扩散中断区在所述第一方向上彼此间隔开，并且所述多个上扩散中断区的每个重叠所述下扩散中断区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个上扩散中断区与所述下扩散中断区接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个单扩散中断区的侧表面分别与所述多个上扩散中断区的侧表面接触。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述多个单扩散中断区的每个沿所述第二方向与所述多个上扩散中断区中的相应上扩散中断区对准。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个上扩散中断区的底端在比所述下扩散中断区的顶端低的水平处。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个单扩散中断区包括压缩应力材料，所述下扩散中断区和所述多个上扩散中断区包括拉伸应力材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个单扩散中断区的每个包括在所述衬底的所述第一区中的部分和向上突出超过所述衬底的所述第一区的顶表面的部分。

8.一种半导体器件，包括：

衬底，包括第一区和第二区；

多个第一有源鳍，在所述第一区上沿第一方向延伸，所述多个第一有源鳍中的两个第一有源鳍在所述衬底的所述第一区中限定第一鳍凹陷；

多个第二有源鳍，在所述衬底的所述第二区上与所述多个第一有源鳍平行地延伸；

第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的每个横跨所述多个第一有源鳍中的一个和所述多个第二有源鳍中的一个并且在所述第一方向上具有第一宽度；

第一外间隔物和第二外间隔物，在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述第一外间隔物和所述第二外间隔物在所述第一方向上彼此间隔开第一距离，所述第一距离是所述第一宽度的至少两倍，所述第一外间隔物和所述第二外间隔物在其间限定第一栅极沟槽，所述第一栅极沟槽连接到所述第一鳍凹陷；

双扩散中断区，在所述第一鳍凹陷和所述第一栅极沟槽中；

下扩散中断区，在所述多个第二有源鳍中的两个第二有源鳍之间在所述衬底的所述第二区中；

第一内间隔物和第二内间隔物，在所述第一外间隔物与所述第二外间隔物之间在所述下扩散中断区上，所述第一外间隔物、所述第一内间隔物、所述第二内间隔物和所述第二外间隔物沿所述第一方向顺序地布置，两个第二栅极沟槽由一对所述第一外间隔物和所述第一内间隔物以及一对所述第二内间隔物和所述第二外间隔物限定；以及

分别在所述两个第二栅极沟槽中的两个上扩散中断区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一内间隔物和所述第二内间隔物的端部与所述双扩散中断区的侧表面接触。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述双扩散中断区的侧表面的一部分与所述两个上扩散中断区的侧表面接触。