[发明专利]包括扩散中断区的半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。

技术领域

本公开总体上涉及电子领域，更具体地，涉及半导体器件。

背景技术

随着半导体器件的集成密度增大，满足用户所需的晶体管性能正变得越来越困难。为了改善晶体管性能，已经提出了用于场效应晶体管(FET)的各种材料和/或结构。例如，已经提出了高k电介质金属栅极结构来代替包括硅氧化物栅极绝缘层和多晶硅栅电极的传统FET。

发明内容

本发明构思的示例实施方式涉及提供具有改善性能的半导体器件。

此外，本发明构思的示例实施方式涉及提供具有减小的器件特性变化的半导体器件。

根据示例实施方式，一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一区和第二区；多个第一有源鳍，在第一区上沿第一方向延伸；多个第二有源鳍，在第二区上与所述多个第一有源鳍平行地延伸；以及多个单扩散中断区，在所述多个第一有源鳍中的两个第一有源鳍之间。所述多个单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在所述多个第二有源鳍中的两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的多个上扩散中断区。所述多个上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，所述多个上扩散中断区的每个可以重叠下扩散中断区。

根据示例实施方式，一种半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、以及在第一区上沿第一方向延伸的多个第一有源鳍。所述多个第一有源鳍中的两个第一有源鳍可以在衬底的第一区中限定第一鳍凹陷。半导体器件还可以包括在衬底的第二区上与所述多个第一有源鳍平行延伸的多个第二有源鳍、以及第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构的每个可以横跨所述多个第一有源鳍中的一个和所述多个第二有源鳍中的一个并且在第一方向上具有第一宽度。半导体器件还可以包括在第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一外间隔物和第二外间隔物。第一外间隔物和第二外间隔物可以在第一方向上彼此间隔开第一距离，第一距离可以是第一宽度的至少两倍，第一外间隔物和第二外间隔物可以在其间限定第一栅极沟槽，第一栅极沟槽可以连接到第一鳍凹陷。此外，半导体器件可以包括在第一鳍凹陷和第一栅极沟槽中的双扩散中断区、在所述多个第二有源鳍中的两个第二有源鳍之间在衬底的第二区中的下扩散中断区、以及在第一外间隔物与第二外间隔物之间在下扩散中断区上的第一内间隔物和第二内间隔物。第一外间隔物、第一内间隔物、第二内间隔物和第二外间隔物可以沿第一方向顺序地布置，两个第二栅极沟槽可以由一对第一外间隔物和第一内间隔物以及一对第二内间隔物和第二外间隔物限定。半导体器件还可以包括分别在所述两个第二栅极沟槽中的两个上扩散中断区。

根据示例实施方式，一种半导体器件可以包括包含P型金属氧化物半导体(PMOS)区和N型MOS(NMOS)区的衬底、在PMOS区上沿第一方向延伸的多个第一有源鳍、在NMOS区上与所述多个第一有源鳍平行延伸的多个第二有源鳍、以及沿第二方向延伸并在第一方向上彼此间隔开的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构的每个可以横跨所述多个第一有源鳍中的一个和所述多个第二有源鳍中的一个。半导体器件还可以包括下扩散中断区和在下扩散中断区上的上扩散中断区，下扩散中断区在所述多个第二有源鳍中的两个第二有源鳍之间以及在第一栅极结构与第二栅极结构之间在衬底的NMOS区中。

附图说明

图1示意性地示出根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的局部区域的布局。