[发明专利]光学邻近修正模型的校正方法及其系统

权利要求书

1.一种光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，包括：

提供具有原始图形的版图以及初始掩膜图层；

通过所述版图图形化所述初始掩膜图层，形成掩膜图层；所述掩膜图层中与所述原始图形相对应的为测量图形，所述测量图形具有特征尺寸；

对所述测量图形依次进行第一测量和第二测量，分别获得第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸；

通过所述第一测量特征尺寸以及第二测量特征尺寸，获得所述测量图形的实际尺寸，所述第一测量特征尺寸和所述测量图形的实际尺寸的比值等于所述第二测量特征尺寸与所述第一测量特征尺寸的比值；

基于所述实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正。

2.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，所述测量图形的所述实际尺寸为第一测量特征尺寸的平方除以第二测量特征尺寸的值。

3.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，采用关键尺寸扫描电子显微镜进行所述第一测量和第二测量。

4.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，所述版图中具有多个相同的所述原始图形；

通过所述版图图形化所述初始掩膜图层，形成掩膜图层的步骤中，在所述掩膜图层中形成与所述多个相同的所述原始图形相对应的多个所述测量图形；进行所述第一测量，获得所述第一测量特征尺寸的步骤包括：对所述多个所述测量图形进行测量，得到多个第一测量数据；对所述第一测量数据取平均值获得第一测量特征尺寸。

5.如权利要求4所述的光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，进行所述第二测量，获得所述第二测量特征尺寸的步骤包括：进行所述第一测量后，对多个所述测量图形进行所述第二测量，得到多个第二测量数据，对所述第二测量数据取平均值得到所述第二测量特征尺寸。

6.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，所述掩膜图层的材料为光刻胶。

7.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，采用光刻工艺对所述初始掩膜图层进行处理，形成所述掩膜图层。

8.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，所述原始图形的数量为多个，包括：

多个所述原始图形的特征尺寸不同，原始图形的间距相同；

或者，多个所述原始图形的特征尺寸相同，所述原始图形的间距不同；

或者，多个所述原始图形的特征尺寸以及原始图形的间距均不同；

所述掩膜图层中形成有与多个所述原始图形相对应的多个测量图形；

对所述测量图形进行所述第一测量的步骤中，还获得所述测量图形的间距；通过所述第一测量特征尺寸以及第二测量特征尺寸，获得所述测量图形的所述实际尺寸的步骤包括：获得与所述多个测量图形相对应的多组第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸；根据所述第一测量特征尺寸、第二测量特征尺寸，获得各个所述测量图形的第二测量特征尺寸和第一测量特征尺寸的差值与第一测量特征尺寸的比值；获得所述比值，与所述第一测量特征尺寸以及所述测量图形的间距的对应表；

进行校正的步骤包括：提供第一测量特征尺寸以及测量图形间距，根据所述第一测量特征尺寸、测量图形间距以及所述对应表，获得所述比值；根据所述测量图形的第一测量特征尺寸以及所述比值，获得所述测量图形的所述实际尺寸。