[发明专利]光学邻近修正模型的校正方法及其系统

说明书

一种光学邻近修正模型的校正方法及其系统，校正方法包括：提供具有原始图形的版图以及初始掩膜图层；通过版图图形化初始掩膜图层，形成掩膜图层；掩膜图层中与原始图形相对应的为测量图形，测量图形具有特征尺寸；对测量图形依次进行第一测量和第二测量，分别获得第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸；通过第一测量特征尺寸以及第二测量特征尺寸，获得测量图形的实际尺寸；基于实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正。与将一次测量测量图形得到的尺寸，作为测量图形的实际尺寸的情况相比，本发明获得测量图形的实际尺寸，基于实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正，使得获得的误差函数更加准确，进而使得光学邻近修正模型更准确。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正模型的校正方法及其系统。

背景技术

在集成电路制造工艺中，光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义，光刻技术的工艺精确度直接影响到半导体产品的良率。

但是，随着集成电路设计的高速发展，半导体器件的尺寸不断缩小，在将图形转移到晶圆上的过程中会发生失真现象，在晶圆上所形成的图形相较于掩模版图形会出现变形和偏差。出现失真现象的原因主要是光学邻近效应(optical proximity effect，OPE)。

为了解决上述问题，通常采用光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)方法，对光刻过程中的误差进行修正，OPC方法即为对掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修正，使得修正补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应，因此，采用由OPC后的版图数据所制成的掩膜版，经过光刻后，在晶圆上能够得到预期的目标图形。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正模型的校正方法及其系统，使得光学邻近修正模型更准确。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正模型的校正方法，包括：提供具有原始图形的版图以及初始掩膜图层；通过所述版图图形化所述初始掩膜图层，形成掩膜图层；所述掩膜图层中与所述原始图形相对应的为测量图形，所述测量图形具有特征尺寸；对所述测量图形依次进行第一测量和第二测量，分别获得第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸；通过所述第一测量特征尺寸以及第二测量特征尺寸，获得所述测量图形的实际尺寸；基于所述实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正。

相应的，本发明实施例还提供光学邻近修正模型的校正系统，包括：版图，包括原始图形，用于对初始掩膜图层进行图形化，获得掩膜图层，所述掩膜图层具有测量图形，所述测量图形与所述原始图形相对应，所述测量图形具有特征尺寸；测量单元，适于对所述测量图形依次进行第一测量和第二测量，分别获得第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸；实际尺寸获得单元，适于根据所述第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸获得所述测量图形的实际尺寸；校正单元，根据所述实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例对所述测量图形依次进行第一测量和第二测量，分别获得第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸。通常采用关键尺寸扫描电子显微镜测量所述测量图形的尺寸，且在测量过程中所述测量图形的尺寸收缩，所述第一测量特征尺寸是测量图形的实际尺寸收缩后得到的，所述第二测量特征尺寸是基于第一测量特征尺寸的基础上收缩获得，与将一次测量测量图形得到的尺寸作为测量图形的实际尺寸的情况相比，本发明通过第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸，获得所述测量图形的实际尺寸更加精确，因此，基于所述实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正，使得获得的误差函数更加准确，进而使得光学邻近修正模型更准确。

附图说明

图1是一种光学邻近修正模型校正方法的流程示意图；

图2是本发明光学邻近修正模型校正方法测量图形实际尺寸的流程示意图；