[发明专利]电路单元特征化方法、数据存储、访问方法和处理系统

权利要求书

1.一种电路单元长期可靠性特征化方法，其特征在于，包括：

计算电路单元中所包含的每个器件对应的阈值电压变化范围，所述阈值电压变化范围为非老化状态下或初始老化状态下对应的阈值电压到预设老化状态对应的阈值电压之间的范围；

根据多个器件对应的阈值电压变化范围，确定多个器件在不同阈值电压取值下形成的阈值电压组合；

对每一个所述阈值电压组合下的电路单元进行特征化，获取电路单元特征化数据。

2.根据权利要求1所述的电路单元长期可靠性特征化方法，其特征在于，还包括在不同温度下，对每一个所述阈值电压组合下的电路单元进行特征化，以获得不同温度下的电路特征化数据。

3.根据权利要求1或2所述的电路单元长期可靠性特征化方法，其特征在于，还包括：

计算所述电路单元中多个器件因老化而导致的载流子迁移率变化范围，以及器件阈值电压与载流子迁移率的对应关系；

在对电路进行特征化的电路仿真中，根据器件的阈值电压以及阈值电压与载流子迁移率之间的对应关系，确定器件的载流子迁移率。

4.一种电路单元长期可靠性特征化数据紧凑存储方法，其特征在于，用于存储权利要求1-3任意一项所述的电路单元长期可靠性特征化方法得到的特征化数据；

所述特征化数据紧凑存储方法包括：

以所述特征化数据为基础，建立电路单元长期可靠性特征化宏模型；

存储所述宏模型。

5.根据权利要求4所述的电路单元长期可靠性特征化数据紧凑存储方法，其特征在于，所述宏模型为确定电路单元中多个器件阈值电压为参数的宏模型。

6.根据权利要求5所述的电路单元长期可靠性特征化数据紧凑存储方法，其特征在于，所述宏模型为确定电路单元所处温度为参数的宏模型。

7.根据权利要求6所述的电路单元长期可靠性特征化数据紧凑存储方法，其特征在于，在所述建立电路单元长期可靠性特征化宏模型之后还包括：

通过所述宏模型计算阈值电压参数或温度参数在非特征化点的第一电路单元特征化值；

通过电路仿真获取所述阈值电压参数或所述温度参数在非特征化点的第二电路单元特征化值；

计算所述第一电路单元特征化值和所述第二电路单元特征化值的偏差；

若所述偏差大于预设偏差值，则将所述阈值电压参数或所述温度参数以及所述非特征化点对应的第二电路单元特征化值加入到所述特征化数据中，得到更新后的特征化数据；

根据所述更新后的特征化数据，建立电路单元长期可靠性特征化宏模型；

其中，所述偏差为误差，所述预设偏差值为预设误差值；或者所述偏差为相对误差，所述预设偏差值为预设相对误差值。

8.根据权利要求4所述的电路单元长期可靠性特征化数据紧凑存储方法，其特征在于，所述电路单元长期可靠性特征化宏模型为查询表宏模型或表达式宏模型。

9.一种电路单元长期可靠性特征化数据快速访问方法，其特征在于，用于访问权利要求4中所述的电路单元长期可靠性特征化宏模型，包括：

获取电路单元中每个器件对应的实际阈值电压；

通过所述宏模型计算得到所述实际阈值电压对应的特征化数据。

10.根据权利要求9所述的电路单元长期可靠性特征化数据快速访问方法，其特征在于，所述宏模型为确定电路单元所处温度为参数的宏模型，所述快速访问方法还包括：

获取每个器件对应的实际阈值电压所处温度；

通过所述宏模型计算得到所述实际阈值电压和所述所处温度对应的特征化数据。