[发明专利]电路单元特征化方法、数据存储、访问方法和处理系统在审
申请号: | 201910526132.0 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN110245432A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 吴玉平;陈岚;张学连 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 温可睿 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路单元 特征化数据 特征化 阈值电压变化 处理系统 数据存储 阈值电压 计算电路单元 长期可靠性 多个器件 访问 老化 申请 | ||
本申请提供一种电路单元特征化方法、数据存储、访问方法和处理系统,电路单元长期可靠性特征化方法,包括计算电路单元中每个器件对应的阈值电压变化范围,通过选取阈值电压变化范围中的多个阈值电压值,然后将多个器件对应的不同阈值电压值进行组合,然后针对每一个组合进行电路单元特征化,得到对应的特征化数据。也即得到的特征化数据包含了阈值电压变化的因素,因此使得,特征化数据更加接近电路单元的真实情况,能够得到不同老化程度下的电路单元特征化数据,使得电路单元特征化数据更加准确。
技术领域
本发明涉及电路仿真技术领域,尤其涉及一种电路单元特征化方法、数据存储、访问方法和处理系统,更确切的说,是涉及一种电路单元长期可靠性特征化方法、特征化数据紧凑存储方法、特征化数据快速访问方法和特征化数据处理系统。
背景技术
在电路单元的物理版图设计完成后,需要通过电路仿真过程来验证设计的合理性;通过电路单元的仿真,得到电路单元的特征化数据。在此电路单元仿真过程中,需要采用电路单元进行仿真的特征化工具,根据物理版图数据,提取寄生效应,从而进行电路单元的仿真和电路特性参数的提取,进而得到电路单元的特征化数据,这一获取电路单元特征化数据的过程简称为电路单元的特征化过程。
所谓电路单元,是指具有一定电路功能或逻辑功能的电路,在数字标准单元库中一般指基本逻辑门电路、寄存器、锁存器、触发器等,在模拟电路设计中一般指运算放大器、比较器等。所谓特征化数据,是对电路性能进行分析所需数据的统称,特征化数据包括电路的延时特性、功耗、良率、PVT波动的统计数据以及最好-最坏工艺角分析数据等。
电路单元特征化数据是数字电路单元长期可靠性时序分析和逻辑仿真的基础,但是现有技术中的电路单元特征化数据应用在电路单元长期可靠性的时序分析中时,存在准确度降低的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种电路单元特征化方法、数据存储、访问方法和处理系统,以解决现有技术中电路单元特征化数据应用在电路单元长期可靠性时序分析中时,存在准确度降低的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种电路单元长期可靠性特征化方法,包括:
计算电路单元中所包含的每个器件对应的阈值电压变化范围,所述阈值电压变化范围为非老化状态下或初始老化状态下对应的阈值电压到预设老化状态对应的阈值电压之间的范围;
根据多个器件对应的阈值电压变化范围,确定多个器件在不同阈值电压取值下形成的阈值电压组合;
对每一个所述阈值电压组合下的电路单元进行特征化,获取电路单元特征化数据。
优选地,还包括在不同温度下,对每一个所述阈值电压组合下的电路单元进行特征化,以获得不同温度下的电路特征化数据。
优选地,还包括:
计算所述电路单元中多个器件因老化而导致的载流子迁移率变化范围,以及器件阈值电压与载流子迁移率的对应关系;
在对电路进行特征化的电路仿真中,根据器件的阈值电压以及阈值电压与载流子迁移率之间的对应关系,确定器件的载流子迁移率。
本发明还提供一种电路单元长期可靠性特征化数据紧凑存储方法,用于存储上面任意一项所述的电路单元长期可靠性特征化方法得到的特征化数据;
所述特征化数据紧凑存储方法包括:
以所述特征化数据为基础,建立电路单元长期可靠性特征化宏模型;
存储所述宏模型。
优选地,所述宏模型为确定电路单元中多个器件阈值电压为参数的宏模型。
优选地,所述宏模型为确定电路单元所处温度为参数的宏模型。
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