[发明专利]一种表面检测装置及方法

说明书

本发明公开了一种表面检测装置及方法。该表面检测装置包括：控制模块、放置被测物体的工作台和至少一个探测头；探测头用于发射入射光束并控制入射光束在被测物体的表面进行第一方向的扫描，再接收入射光束经由被测物体的表面散射形成的散射光束；工作台用于当探测头完成在被测物体表面进行的第一方向扫描时，带动被测物体沿第二方向移动预设距离直至完成对被测物体的第一区域的扫描；控制模块用于当被测物体的第一区域扫描完成后，控制被测物体围绕旋转轴旋转预设角度，以使探测头对被测物体的第二区域进行扫描；其中，第一方向与第二方向交叉。本实施例提供的表面检测装置，提高了检测效率，减小了表面检测装置尺寸。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种表面检测装置及方法。

背景技术

随着大规模集成电路的快速发展，硅片表面粒子情况对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视。

图1是目前典型的一种对硅片表面粒子进行散射测量的量测设备的结构示意图，如图1所示，该量测设备包括机体200，机体200内部设置有放置被测硅片210的工件台220、发射单元230和光探测器240。发射单元230发出的正入射光λ和斜入射光μ照射到工件台220上的被测硅片210的表面后散射的散射光γ被光探测器240接收，通过对散射光γ的分析，实现被测硅片210表面粒子情况检测。为了实现对整个硅片210的检测，工件台220设置沿x方向移动的移动台221和沿y方向移动的移动台222(图2)，通过移动移动台221和移动台222，实现被测硅片210整体区域的扫描检测。

然而，现有技术中需要工件台在两个方向(x方向和y方向)的移动来实现硅片整体区域扫描，检测效率低，影响产率；且工件台行程较大，加大了量测设备的总体尺寸。

发明内容

本发明提供一种表面检测装置及方法，以实现提高检测效率，减小装置尺寸的效果。

本发明实施例提供了一种表面检测装置，该表面检测装置包括：控制模块、放置被测物体的工作台和至少一个探测头；

所述探测头用于发射入射光束并控制所述入射光束在所述被测物体的表面进行第一方向的扫描，再接收所述入射光束经由所述被测物体的表面散射形成的散射光束；

所述工作台用于当所述探测头完成在所述被测物体表面进行的所述第一方向扫描时，带动所述被测物体沿第二方向移动预设距离直至完成对所述被测物体的第一区域的扫描；

所述控制模块用于当所述被测物体的第一区域扫描完成后，控制所述被测物体围绕旋转轴旋转预设角度，以使所述探测头对所述被测物体的第二区域进行扫描；

其中，所述第一方向与所述第二方向交叉。

进一步地，所述探测头在所述第一方向上的扫描范围为A1，A1＞60mm。

进一步地，所述探测头的数量为偶数个；偶数个所述探测头在所述被测物体所在平面的垂直投影的排布方式包括矩阵排布。

进一步地，所述偶数个所述探测头分为两行，行方向与所述第一方向平行，在所述第一方向上，任意一行所述探测头的数量为N1，2*N1*A1＞H1，其中，H1为所述被测物体在所述第一方向的最大尺寸。

进一步地，所述探测头的数量为奇数个；奇数个所述探测头的排布方式包括错位布局。

进一步地，所述奇数个所述探测头分为两行，行方向与所述第一方向平行，在所述第一方向上，第一行所述探测头的数量为N2，第二行所述探测头的数量为N3，N2*A1+N3*A1＞H1，其中，H1为所述被测物体在所述第一方向的最大尺寸。

进一步地，所述预设距离为H3，H3＞1/2*H5，其中，H5为所述被测物体在所述第二方向的最大尺寸。

进一步地，所述表面检测装置还包括：固定模块；