[发明专利]顶栅结构及其制备方法、阵列基板、显示设备

权利要求书

1.一种顶栅结构的薄膜晶体管，包括有源层，位于所述有源层上的栅绝缘层以及形成于所述栅绝缘层之上的栅极层，所述栅极层覆盖部分栅绝缘层，将另一部分栅绝缘层暴露在所述栅极层的侧边形成栅绝缘层凸部，其特征在于，还包括形成于所述栅极层之上的补偿层，所述补偿层是在形成所述栅绝缘层和所述栅极层之后对所述栅极层的表面进行氧化处理，使得所述栅极层在氧化过程中向外生长并覆盖所述栅绝缘层凸部；还包括位于所述栅极层上方的层间电介质层以及位于所述层间电介质层上的源漏极层，所述源漏极层位于所述层间电介质层覆盖所述栅极层和所述栅绝缘层的区域。

2.根据权利要求1所述的顶栅结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述补偿层的材质为金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的顶栅结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层的材质为金属。

4.根据权利要求1所述的顶栅结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述补偿层的厚度为0.1um-1um。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1～4任一所述的顶栅结构的薄膜晶体管。

6.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求5所述的阵列基板。

7.一种顶栅结构的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成有源层，在所述有源层之上形成覆盖所述有源层的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层之上形成栅极层，所述栅极层覆盖部分栅绝缘层，将另一部分栅绝缘层暴露在所述栅极层的侧边形成栅绝缘层凸部；

通过阳极氧化工艺将部分栅极层氧化，使氧化后的部分栅极层向外延伸覆盖所述栅绝缘层凸部，形成补偿层；

在所述补偿层上形成层间电介质层；

在所述层间电介质层上形成源漏极层，所述源漏极层位于所述层间电介质层覆盖所述栅极层和所述栅绝缘层的区域。