[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910527925.4 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110783294A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 卢贯中;苏安治;叶德强;黄立贤;林岳霆;叶名世 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 管芯 预填充 附接 半导体装置 导电端子 电连接 排除区 结构设置 环绕 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
封装结构，包括附接区以及位于所述附接区周围的排除区；
第一管芯，设置在所述封装结构上及所述附接区中且电连接到所述封装结构；
第一围阻结构，设置在所述封装结构的所述排除区内且环绕所述第一管芯；
预填充层，设置在所述封装结构与所述第一管芯之间且设置在所述第一围阻结构与所述第一管芯之间，其中所述预填充层被限制在所述第一围阻结构内；以及
多个导电端子，设置在所述封装结构上，分布在所述封装结构的所述排除区周围且电连接到所述封装结构。
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