[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和指纹识别显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和多个指纹识别单元，所述指纹识别单元包括位于所述衬底基板一侧的至少一个光电二极管，所述光电二极管包括第一电极、第一半导体层、第二半导体层和第二电极；

所述第一半导体层为多晶硅，所述第二半导体层为非晶硅；

所述第一电极与所述第一半导体层电连接；

所述第二半导体层位于所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧并与所述第一半导体层直接接触，且所述第二半导体层与所述第一半导体层直接接触的接触面积为第一接触面积；

所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧并与所述第二半导体层直接接触，且所述第二电极与所述第二半导体层直接接触的接触面积为第二接触面积；

所述第二接触面积大于等于所述第一接触面积。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极为透明电极。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一绝缘层，所述第二半导体层通过贯穿所述第一绝缘层的第一通孔与所述第一半导体层直接接触。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第二半导体层在所述衬底基板上的正投影内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通孔靠近所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影的面积小于所述第一通孔远离所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影的面积。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第二半导体层和所述第二电极之间的第一缓冲层，所述第二电极通过贯穿所述第一缓冲层的第二通孔与所述第二半导体层直接接触。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔靠近所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影位于所述第二半导体层在所述衬底基板上的正投影内。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔靠近所述衬底基板的一侧在所述衬底基板上的正投影的面积小于所述第二半导体层在所述衬底基板上的正投影的面积。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二半导体层同层设置，所述第一电极通过贯穿所述第一缓冲层的第三通孔与所述第一半导体层电连接。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一缓冲层的厚度大于等于50nm且小于等于70nm。

11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板一侧形成第一半导体层；

在所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧沉积第一绝缘层，图案化所述第一绝缘层形成第一通孔和第三通孔；

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二半导体层和第一电极，其中，所述第二半导体层通过所述第一通孔和所述第一半导体层直接接触，所述第二半导体层与所述第一半导体层直接接触的接触面积为第一接触面积，所述第一电极通过所述第三通孔和所述第一半导体层电连接；

在所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧沉积第一缓冲层，图案化所述第一缓冲层形成第二通孔；

在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极，其中，所述第二电极通过所述第二通孔和所述第二半导体层直接接触，所述第二电极与所述第二半导体层直接接触的接触面积为第二接触面积，所述第二接触面积大于等于所述第一接触面积。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第二电极为透明电极。