[发明专利]半导体器件和制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述衬底具有通路孔，所述通路孔从所述衬底的所述第一表面朝向所述衬底的所述第二表面延伸；

在所述通路孔中的穿通通路；

在所述衬底的所述第一表面上的半导体部件；以及

内部缓冲结构，与所述通路孔间隔开并且在所述通路孔与所述半导体部件之间，所述内部缓冲结构从所述衬底的所述第一表面朝向所述衬底的内部延伸，所述内部缓冲结构的顶端在比所述穿通通路的顶端高的水平处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述内部缓冲结构围绕所述通路孔。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，当在俯视图中看时，所述内部缓冲结构是闭合的环，所述闭合的环与所述通路孔的中心间隔开第一距离。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述内部缓冲结构包括多个第一区段，所述多个第一区段彼此间隔开，所述多个第一区段的每个与所述通路孔的中心间隔开第一距离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述内部缓冲结构的底端在比所述通路孔的底端高的水平处，使得所述内部缓冲结构不完全穿透所述衬底。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述衬底包括从其第一表面延伸的阱，所述阱上具有所述半导体部件，以及

所述内部缓冲结构的所述底端位于与所述阱的底端相同的水平处。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述内部缓冲结构的深度在离所述衬底的所述第一表面从150nm到500nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述衬底的所述第一表面上的层间电介质层，所述层间电介质层覆盖所述半导体部件，

其中所述通路孔的顶端在与所述衬底的所述第一表面相同的水平处，以及

其中所述内部缓冲结构的所述顶端在与所述层间电介质层的顶表面相同的水平处。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述内部缓冲结构是气隙，所述衬底的一部分从所述气隙被去除。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

围绕所述通路孔的外部缓冲结构，所述外部缓冲结构以一距离与所述通路孔的中心间隔开，

其中所述距离大于所述内部缓冲结构与所述通路孔的中心之间的距离。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

穿通通路，从所述衬底的第一表面延伸到所述衬底中；

半导体部件，在所述衬底的所述第一表面上；

围绕所述穿通通路的内部缓冲结构，所述内部缓冲结构与所述穿通通路间隔开第一距离；以及

围绕所述穿通通路的外部缓冲结构，所述外部缓冲结构与所述穿通通路间隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离，所述第一距离和所述第二距离的每个小于所述穿通通路与所述半导体部件之间的距离。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述内部缓冲结构和所述外部缓冲结构两者从所述衬底的所述第一表面朝向所述衬底的内部延伸。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中

所述内部缓冲结构包括多个第一区段，所述多个第一区段彼此间隔开，所述多个第一区段的每个与所述穿通通路的中心间隔开所述第一距离，以及

所述外部缓冲结构包括多个第二区段，所述多个第二区段彼此间隔开，所述多个第二区段的每个与所述穿通通路的中心间隔开所述第二距离。