[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制备并图案化有源层；

在所述有源层上依次沉积绝缘薄膜和金属氧化物薄膜，分别作为栅极绝缘层和栅极层；

在所述栅极层上制备图案化的正性光刻胶层，其中，位于金属走线区域的正性光刻胶层的厚度小于位于控制区域的正性光刻胶层的厚度；

采用刻蚀工艺对所述栅极层进行图案化，以及采用干法蚀刻工艺对所述栅极绝缘层进行图案化；其中，图案化后，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述阵列基板的所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述阵列基板的控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述栅极层上制备图案化的正性光刻胶层，包括：

在所述栅极层上制备正性光刻胶层；

使用灰度掩膜板对所述正性光刻胶层进行曝光，去除位于所述金属走线区域和所述控制区域之间的正性光刻胶，且使得位于所述金属走线区域的正性光刻胶层的厚度小于位于所述控制区域的正性光刻胶层的厚度；

其中，所述灰度掩膜板包括第一灰度区域和第二灰度区域，以及位于所述第一灰度区域和所述第二灰度区域之间的不透明区域，所述灰度区域为能部分透光紫外光的区域，不透明区域为不能透过紫外光的区域，所述第一灰度区域完全覆盖所述金属走线区域，所述第二灰度区域完全覆盖所述控制区域，所述不透明区域完全覆盖所述金属走线区域和所述控制区域之间的区域。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，使用灰度掩膜板对所述正性光刻胶层进行曝光，包括：

调整所述第一灰度区域和所述第二灰度区域的透光率，对所述正性光刻胶层进行曝光，使得曝光后位于所述金属走线区域的正性光刻胶层的厚度小于或等于位于所述控制区域的正性光刻胶层的厚度的一半。

4.如权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，在采用刻蚀工艺对所述栅极层进行图案化，以及采用干法蚀刻工艺对所述栅极绝缘层进行图案化之后，包括：

对有源层进行导体化处理；

在图案化后的栅极上制备层间绝缘层；

在所述层间绝缘层设置过孔；

在所述层间绝缘层上制作源漏极金属层。

5.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用如权利要求1-4任一所述的方法制作而成，所述阵列基板包括：

衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；

其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一长度差值小于或等于所述第二长度差值的20％。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，位于所述控制区的所述栅极绝缘层在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述栅极在所述衬底基板的正投影。

8.如权利要求5-7任一所述的阵列基板，其特征在于，位于所述控制区的层间绝缘层包括过孔，所述源漏极金属层通过所述过孔与所述有源层连接；

位于所述金属走线区的所述源漏极金属层与所述栅极有交叠。

9.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述栅极与所述源漏极金属层之间的层间绝缘层，其中，位于所述金属走线区的所述层间绝缘层与所述栅极有交叠。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求5-9任一所述的阵列基板。