[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示面板有效

申请号：	201910531872.3	申请日：	2019-06-19
公开（公告）号：	CN110197831B	公开（公告）日：	2021-09-10
发明（设计）人：	宋威;赵策;丁远奎;王明;刘宁;胡迎宾;彭俊林;倪柳松	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291	代理人：	郭润湘
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种阵列及其制作方法显示面板
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【说明书】：

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板，用于降低显示器件发生DGS的概率，提高阵列基板的良率。其中的阵列基板包括：衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)主要用于驱动液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器的子像素。采用TFT阵列制成的驱动背板是显示屏能够实现更高的像素密度、开口率和提升亮度的关键部件。

通常顶发射型结构的驱动背板沟道短，而TFT的特性易受短沟道效应的影响，为了降低短沟道效应的影响，在TFT控制区制备过程中要保证栅极绝缘层(Gate Insulator，GI)10的长度比栅极(Gate)20的长度要长，如图1所示。其中，顶发射型的显示器件的阵列基板可以分为金属走线区(虚线框进行示意)和TFT控制区(实线框进行示意)。GI 10相比于Gate20多出来的部分称为栅极绝缘层尾部(GI Tail)101。

由于GI Tail的原因在金属走线区导致层间绝缘层(Inter Layer Dielectrics，ILD)30与Gate金属20的交叠处出现褶皱，这种褶皱在源漏极(SD)40搭接之后，导致Gate金属走线20与SD金属走线40之间的ILD30由于覆盖能力差导致厚度变薄，同时SD金属40沉积后会形成类似尖端现象，如图2所示，容易发生数据线栅线短路(Data Gate Short，DGS)不良。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，用于降低显示器件发生DGS的概率，提高阵列基板的良率。

第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：

衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；

其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。

在一种可能的实施方式中，所述第一长度差值小于或等于所述第二长度差值的20％。

在一种可能的实施方式中，位于所述控制区的所述栅极绝缘层在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述栅极在所述衬底基板的正投影。

在一种可能的实施方式中，位于所述控制区的所述层间绝缘层包括过孔，所述源漏极金属层通过所述过孔与所述有源层连接；

位于所述金属走线区的所述源漏极金属层与所述栅极有交叠。

在一种可能的实施方式中，还包括位于所述栅极与所述源漏极金属层之间的层间绝缘层，其中，位于所述金属走线区的所述层间绝缘层与所述栅极有交叠。

第二方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括：

在衬底基板上制备并图案化有源层；