[发明专利]一种曝光设备和曝光系统

说明书

本发明公开了一种曝光设备和曝光系统。曝光设备包括基座和位于所述基座上方用于承载基板的基台，其特征在于，所述曝光设备还包括设置在所述基座和所述基台之间、用于调节所述基台的曲率或/和温度的调节装置。该曝光设备，通过调节装置可以调节基台的曲率或/和温度，以使得基台表面的曲率与掩膜板的弯曲形变相一致，进而使得待曝光基板的曲率也会与掩膜板的弯曲形变相一致，使得不同位置的掩膜板下表面与基板上表面的间隙相一致；或/和，通过调节装置可以调节基台不同位置的温度，使得基板不同位置的温度保持一致，从而提高曝光基板不同位置的线宽均一性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种曝光设备和曝光系统。

背景技术

在显示面板的制备过程中，经常需要采用掩膜曝光工艺。图1为接近式曝光设备的光路示意图。在实际的掩膜曝光工艺中，例如在接近式曝光设备中，如图1所示，高压汞灯产生的紫外线投射到设备基台上的照度分布是不均匀的，而且随着高压汞灯使用时间的延长，投射到设备基台上的紫外线的照度分布也随时间而变化，从而导致曝光产品不同位置的线宽差别很大，线宽均一性较差等。

另外，掩膜曝光工艺中，掩膜板的弯曲变形也是导致曝光产品线宽均一性较差的因素之一。图2为接近式曝光过程中掩膜板弯曲变形的示意图。如图2所示，在接近式曝光过程中，设备基台21上设置有待曝光基板12，基板12上方设置有掩膜板13。掩膜板13存在弯曲变形，导致设备基台21上不同位置的掩膜板13下表面与基板12上表面的间隙不一致。在阵列基板的接近式曝光工艺中，曝光量、照度均一性以及掩膜板下表面与基板上表面之间的间隙值是影响产品品质的主要参数，当设备基台上不同位置的掩膜板下表面与基板上表面的间隙不一致时，会导致曝光产品线宽均一性较差。例如，在使用负性光刻胶的情况下，在掩膜板下表面与基板上表面的距离较小的位置，对应位置的产品线宽会偏小，反之，在掩膜板下表面与基板上表面的距离较大的位置，对应位置的产品线宽会偏大，使得曝光产品线宽均一性较差。

以上的紫外线分布不均以及掩膜板弯曲变形，目前还未有有效的解决方案，因此，急需从其他角度来解决曝光产品线宽均一性较差的问题，以提高曝光产品品质。

发明内容

本发明实施例的目的是，提供一种曝光设备和曝光系统，以提高曝光产品线宽均一性。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种曝光设备，包括基座和位于所述基座上方用于承载基板的基台，所述曝光设备还包括设置在所述基座和所述基台之间、用于调节所述基台的曲率或/和温度的调节装置。

可选地，所述调节装置的数量为多个，所述调节装置包括伸缩机构，所述伸缩机构与所述基台的下表面连接，所述伸缩机构伸缩以调节所述基台的曲率。

可选地，所述伸缩机构为超磁致伸缩机构，所述超磁致伸缩机构包括超磁致伸缩驱动器以及沿轴向伸入所述超磁致伸缩驱动器内部的执行杆，所述执行杆的朝外的一端与所述基台的下表面连接，所述执行杆在所述超磁致伸缩驱动器的控制下沿轴向伸缩以调节所述基台的曲率。

可选地，所述超磁致伸缩驱动器包括超磁致伸缩执行器以及设置在所述超磁致伸缩执行器外围用于屏蔽高频磁场和低频磁场的屏蔽壳体。

可选地，所述超磁致伸缩驱动器包括超磁致伸缩执行器，所述超磁致伸缩执行器包括磁通壳体，所述磁通壳体内设置有空腔，所述空腔内沿轴向设置有超磁致伸缩材料棒，所述超磁致伸缩材料棒的外围设置有用于产生磁场的电磁线圈，所述执行杆穿过所述磁通壳体与所述超磁致伸缩材料棒的上端面抵接，所述超磁致伸缩材料棒在所述电磁线圈所产生的磁场作用下伸缩以控制所述执行杆伸缩。

可选地，所述执行杆的外周壁上设置有位于所述空腔内的支撑片，所述支撑片与所述空腔的朝向所述执行杆一端的端壁之间设置有预压弹簧，所述磁通壳体的朝向所述超磁致伸缩材料棒的一端设置有与所述超磁致伸缩材料棒的端面接触的可调节预压机构，所述预压机构与所述预压弹簧配合以调节所述超磁致伸缩材料棒的预压应力。