[发明专利]基底加工方法在审
| 申请号： | 201910533674.0 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739198A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 堅固山裕子;吉田嵩志 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11335 北京汇信合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李宏悦 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电去除 自偏压 基底 射频电极 等离子体 等离子体加工 基底加工 控制器 电荷量 顶表面 加长 测量 施加 | ||
1.一种基底加工方法，包括：
使放置在基座上的基底经受等离子体加工；
向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；
在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压；以及
通过控制器，当所述自偏压具有正值时缩短所述静电去除时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述静电去除时间。
2.根据权利要求1所述的基底加工方法，其中，所述静电去除时间包括：
第一时间，以所述第一时间向所述射频电极施加功率以产生等离子体；
第二时间，在经过所述第一时间后，以预定的第一速率以所述第二时间降低施加至所述射频电极的功率；以及
第三时间，在经过所述第二时间后，以预定的第二速率以所述第三时间将施加至所述射频电极的所述功率降低到零。
3.根据权利要求2所述的基底加工方法，其中，所述控制器当所述自偏压具有正值时缩短所述第二时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述第二时间。
4.根据权利要求2或3所述的基底加工方法，其中，所述第二时间比所述第三时间长。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的基底加工方法，其中，所述控制器根据加工所述基底的方法改变所述静电去除时间。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的基底加工方法，其中，随着所述等离子体加工的等离子体功率越大，所述控制器使所述静电去除时间越长。
7.一种基底加工方法，包括：
重复多次：使放置在基座上的第一基底经受等离子体加工，向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以减少所述第一基底的电荷量，以及当使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述第一基底时测量所述射频电极的自偏压，同时改变所述静电去除时间；
使放置在所述基座上的第二基底经受与所述第一基底的所述等离子体加工相同的等离子体加工；以及
向所述射频电极只施加提供通过多次测量所述自偏压而获得的所述自偏压中的具有最小绝对值的自偏压的静电去除时间的功率，由此减少所述第二基底的电荷量。
8.根据权利要求7所述的基底加工方法，其中，所述第一基底为仿真基底，而所述第二基底为产品基底。
9.根据权利要求7或8所述的基底加工方法，其中，所述静电去除时间包括：
第一时间，以所述第一时间向所述射频电极施加功率以产生等离子体；
第二时间，在经过所述第一时间后，以预定的第一速率以所述第二时间降低施加至所述射频电极的功率；以及
第三时间，在经过所述第二时间后，以预定的第二速率以所述第三时间将施加至所述射频电极的所述功率降低到零。
10.根据权利要求9所述的基底加工方法，其中，所述第二时间比所述第三时间长。
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