[发明专利]基底加工方法

说明书

基底加工方法的示例包括：使放置在基座上的基底经受等离子体加工；向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压；以及通过控制器，当所述自偏压具有正值时缩短所述静电去除时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述静电去除时间。

技术领域

描述的示例涉及一种基底加工方法。

背景技术

在薄膜形成加工之后，尤其是在高功率和低温加工中，硅基底可以粘住基座用作阴极。已经考虑了，当通过射频(RF)功率产生等离子体并且执行薄膜形成时，硅基底通过电荷而被充电，使得基座(susceptor)和硅基底彼此静电地吸引并且彼此粘住。

当基座销与基底的后表面接触以在基底粘住基座的状态下提起基底时，基底被从基座强迫地剥离，使得很大的力作用在基底上。作用在基底上的很大的力由于基底的位移而引起基底的转移错误，或者损坏基座销或者基底。

为了抑制基底粘住基座，需要根据基底的电荷量来执行适当的等离子体后加工，以减小基底的电荷量。即，需要根据基底的电荷量来执行静电的去除。基底的电荷量依据等离子体加工的内容而变化。例如，基底的电荷量依据等离子体辐照时间或者薄膜形成下的功率而变化。

发明内容

本文描述的一些示例可以解决上述问题。本文描述的一些示例可以提供一种基底加工方法，其能够通过减小基底的电荷量来抑制基底粘住基座。

在一些示例中，基底加工方法包括：使放置在基座上的基底经受等离子体加工；向面对基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减小基底的电荷量，在使基座销从基座的顶表面突出并且提起基底的同时测量射频电极的自偏压；以及通过控制器，当自偏压具有正值时缩短静电去除时间，并且当自偏压具有负值时延长静电去除时间。

附图说明

图1为示出了基底加工设备的示例性构造的简图；

图2为示出了基座向下移动的简图；

图3为示出了基座进一步向下移动的简图；

图4为示出了基底加工方法的示例的流程图；

图5为示出了射频功率的应用的示例的简图；

图6为示出了自偏压的示例的简图；

图7为示出了基底的粘住存在与否与Vdc振幅之间的关系的简图；

图8为图示出第二时间的长度与Vdc振幅之间的关系的简图；以及

图9为示出了基底加工方法的流程图。

具体实施方式

将参照附图描述根据一些示例的基底加工方法。相同或对应的组成元件由相同的附图标记表示，并且可以省略其重复的描述。

图1为示出了基底加工设备的示例性构造的简图。基座12设置在腔室10中。作为加工目标的基底13可以放置在基座12上。基底13例如为硅晶圆。基座12可以通过驱动单元14竖直地移动。驱动单元14经由TMC(Transfer ModuleController，转移模块控制器)16接收来自UPC(Unique Platform Controller，独有平台控制器)18的指令，并且根据所述指令使基座12竖直地移动。用于检测基座12的振动的振动传感器20固定至基座12。

基座销21例如固定至腔室10，并且当基底13转移时支撑基底13。当基座12位于高位置时，基座销21位于基座12的顶表面下方。当基座12位于低位置时，基座销21突出到基座12的顶表面的上侧。