[发明专利]一种用于MOSFET驱动的驱动电路在审

专利信息
申请号: 201910535168.5 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN110401330A 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 沈雪欢;周超;何志强 申请(专利权)人: 浙江亚特电器有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 代理人: 胡铁锋
地址: 314009 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 开关电路 公共地 分压电路 栅极电压 驱动电路 第一端 控制端 导通 断开 简化电路结构 电学领域 栅极连接 驱动 三极管 节约
【权利要求书】:

1.一种用于MOSFET驱动的驱动电路,其特征在于,包括:开关电路和分压电路;

所述开关电路的第一端与第一控制端连接,第二端与分压电路连接,第三端与公共地连接,用于当开关电路导通时,将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压;

所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接,第二端与MOSFET的栅极连接,第三端与公共地连接,用于当开关电路断开时,拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。

2.根据权利要求1所述的一种用于MOSFET驱动的驱动电路,其特征在于,所述开关电路包括:三极管Q1,所述三极管Q1的基极与第一控制端以及电源端VDD连接,集电极与MOSFET的栅极连接,发射极与公共地连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于MOSFET驱动的驱动电路,其特征在于,所述分压电路包括:分压电阻R3、R4,所述分压电阻R3的一端连接电源端VCC,另一端连接分压电阻R4的一端以及MOSFET的栅极,所述分压电阻R4的另一端连接公共地。

4.根据权利要求2所述的一种用于MOSFET驱动的驱动电路,其特征在于,所述开关电路还包括:限流电阻R1,所述限流电阻R1的一端连接电源端VDD,另一端连接MOSFET的栅极。

5.根据权利要求3所述的一种用于MOSFET驱动的驱动电路,其特征在于,所述分压电路还包括:驱动电阻R2,所述驱动电阻R2的一端连接第二控制端,另一端连接MOSFET的栅极。

6.根据权利要求5所述的一种用于MOSFET驱动的驱动电路,其特征在于,所述分压电路还包括:二极管D1,所述二极管D1的正极连接驱动电阻R2的一端,负极连接MOSFET的栅极。

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