[发明专利]一种用于MOSFET驱动的驱动电路在审

申请号：	201910535168.5	申请日：	2019-06-20
公开（公告）号：	CN110401330A	公开（公告）日：	2019-11-01
发明（设计）人：	沈雪欢;周超;何志强	申请（专利权）人：	浙江亚特电器有限公司
主分类号：	H02M1/08	分类号：	H02M1/08
代理公司：	杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217	代理人：	胡铁锋
地址：	314009 浙江省嘉兴***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	开关电路公共地分压电路栅极电压驱动电路第一端控制端导通断开简化电路结构电学领域栅极连接驱动三极管节约
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【说明书】：

本发明涉及电学领域，尤其涉及一种用于MOSFET驱动的驱动电路，包括：开关电路和分压电路；所述开关电路的第一端与第一控制端连接，第二端与分压电路连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路导通时，将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压；所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接，第二端与MOSFET的栅极连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路断开时，拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。本发明具备以下有益效果：1.当开关电路导通时，能够将MOSFET的栅极电压迅速拉到公共地电压，从而使得MOSFET的迅速断开；2.同时简化电路结构，只需要一个三极管就能实现MOSFET的驱动，节约了成本。

技术领域

本发明涉及电学领域，尤其涉及一种用于MOSFET驱动的驱动电路。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。在很多MOSFET驱动电路中，常包含多个三极管，成本高，而且MOSFET的响应速度慢。

如图1所示，现有的MOSFET驱动电路包括：三极管Q4A、Q4B、Q7B、Q7A、电容R44、R49、R40、R46、R45、R48、电容C19以及MOSFETQ10。其中，DRI端为PWM输出口，DRI端输出高电平信号，Q4A、Q4B打开，Q10打开；DRI端为PWM输出口，DRI端输出低电平信号，Q7B，Q7A打开，Q10关闭。该驱动电路包含4个三极管，成本高，而且MOSFET的响应速度慢。

发明内容

为解决上述问题，本发明提出一种用于MOSFET驱动的驱动电路。

本发明提出一种用于MOSFET驱动的驱动电路，包括：开关电路和分压电路；

所述开关电路的第一端与第一控制端连接，第二端与分压电路连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路导通时，将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压；

所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接，第二端与MOSFET的栅极连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路断开时，拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。

优选的，开关电路包括：三极管Q1，所述三极管Q1的基极与第一控制端以及电源端VDD连接，集电极与MOSFET的栅极连接，发射极与公共地连接。

优选的，所述分压电路包括：分压电阻R3、R4，所述分压电阻R3的一端连接电源端VCC，另一端连接分压电阻R4的一端以及MOSFET的栅极，所述分压电阻R4的另一端连接公共地。

优选的，所述开关电路还包括：限流电阻R1，所述限流电阻R1的一端连接电源端VDD，另一端连接MOSFET的栅极。

优选的，所述分压电路还包括：驱动电阻R2，所述驱动电阻R2的一端连接第二控制端，另一端连接MOSFET的栅极。

优选的，所述分压电路还包括：二极管D1，所述二极管D1的正极连接驱动电阻R2的一端，负极连接MOSFET的栅极。

本发明具备以下有益效果：

1.当开关电路导通时，能够将MOSFET的栅极电压迅速拉到公共地电压，从而使得MOSFET的迅速断开；