[发明专利]具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底，包括位于所述衬底上的顶部金属层；

钝化层，位于所述顶部金属层上方，所述钝化层中具有暴露所述顶部金属层并延伸至所述顶部金属层中的开口；

复合阻挡层，位于所述钝化层和所述开口上方，所述复合阻挡层包括：

底层，位于所述钝化层和所述开口上方并且部分地位于所述顶部金属层中；

中心层，位于所述底层上方；和

上层，位于所述中心层上方；以及

重分布层(RDL)，位于所述复合阻挡层的上方并且与下面的所述顶部金属层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部金属层包括铜(Cu)。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底层和所述上层均包括钽(Ta)或钛(Ti)。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述中心层包括氮化钽(TaN)或氮化钛(TiN)。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述RDL包括铝(Al)。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部金属层的材料不同于所述RDL的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底层和所述上层的厚度均在约1nm至约30nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述中心层的厚度在约10nm至约300nm的范围内。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

保护层，位于所述RDL上方，所述保护层中具有暴露所述RDL的上开口；

凸块下金属(UBM)层，位于所述上开口上方；以及

凸块，位于所述UBM层上方。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述复合阻挡层和所述RDL之间的另一复合阻挡层。

11.一种制造半导体结构的方法，包括：

在衬底上的顶部金属层上方沉积钝化层；

在所述钝化层中形成开口以暴露所述顶部金属层，所述开口延伸至所述顶部金属层中；

在所述钝化层和所述开口上方沉积复合阻挡层，包括：

在所述钝化层和所述开口上方沉积底层，所述底层部分地位于所述顶部金属层中；

在所述底层上方沉积中心层；和

在所述中心层上方沉积上层；以及

在所述复合阻挡层上方沉积重分布层(RDL)。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述RDL上方沉积保护层，其中，所述保护层具有上开口以暴露部分所述RDL；

在所述上开口上方沉积凸块下金属(UBM)层；以及

在所述UBM层上方形成凸块。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述底层和所述上层均包括Ta或Ti。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述中心层包括TaN或TiN。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述顶部金属层包括铜，并且所述RDL包括铝。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，通过物理汽相沉积(PVD)形成所述复合阻挡层。

17.根据权利要求11所述的方法，还包括：在所述复合阻挡层上方沉积另一复合阻挡层。