[发明专利]一种碲镉汞芯片及其加工方法在审
| 申请号： | 201910536651.5 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110310966A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张轶;刘世光;李春领 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲镉汞芯片 第二表面 第一表面 碲镉汞 电路层 加工 红外焦平面 红外探测器 非均匀性 探测性能 电场 均匀性 响应率 占空比 注入区 探测器 探测 维修 检测 | ||
1.一种碲镉汞芯片，其特征在于，包括：
碲镉汞层，所述碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面设有P型电极，所述第二表面设有N型电极；
电路层，所述电路层与所述P型电极和所述N型电极均连接。
2.根据权利要求1所述的碲镉汞芯片，其特征在于，所述电路层邻近所述第二表面设置，所述P型电极通过引线与所述电路层连接。
3.根据权利要求1或2所述的碲镉汞芯片，其特征在于，所述电路层与所述碲镉汞层间隔设置，所述电路层与所述N型电极通过铟柱连接。
4.根据权利要求3所述的碲镉汞芯片，其特征在于，所述电路层与所述碲镉汞层之间设有填充层。
5.根据权利要求1所述的碲镉汞芯片，其特征在于，所述P型电极的外表面设有增透膜。
6.根据权利要求1所述的碲镉汞芯片，其特征在于，所述P型电极被构造为网格状。
7.根据权利要求1所述的碲镉汞芯片，其特征在于，所述第二表面设有钝化层，所述N型电极的一端与所述第二表面连接，所述N型电极的另一端穿出至所述钝化层的外表面。
8.一种碲镉汞芯片的加工方法，其特征在于，包括：
在碲镉汞层的第一表面设置P型电极，在碲镉汞层的第二表面设置N型电极；
在靠近所述第二表面的一侧设置电路层，并将所述P型电极通过引线与所述电路层连接，将所述N型电极通过铟柱与所述电路层连接；
在所述电路层与所述碲镉汞层之间填充填充层。
9.根据权利要求8所述的碲镉汞芯片的加工方法，其特征在于，所述在碲镉汞芯片的第一表面设置P型电极，包括：
应用离子溅射的方式在所述第一表面进行金属层沉积，以形成所述P型电极。
10.根据权利要求8或9所述的碲镉汞芯片的加工方法，其特征在于，还包括：
在所述P型电极的外表面蒸镀增透膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
