[发明专利]一种碲镉汞芯片及其加工方法

说明书

本发明提出了一种碲镉汞芯片及其加工方法，根据本发明的碲镉汞芯片，包括：碲镉汞层和电路层，碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设有P型电极，第二表面设有N型电极，电路层与P型电极和N型电极均连接。根据本发明的碲镉汞芯片，通过将P型电极和N型电极分别设置在碲镉汞层的相对的第一表面和第二表面上，便于碲镉汞芯片的加工，且便于对碲镉汞芯片的检测和维修。而且，有利于提高电场的均匀性，降低响应率的非均匀性，从而提高了红外焦平面的探测性能。另外，大幅提高了探测器注入区面积及占空比，从而提高红外探测器的探测能力。

技术领域

本发明涉及红外焦平面探测技术领域，尤其涉及一种碲镉汞芯片及其加工方法。

背景技术

红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于预警探测、情报侦察、毁伤效果评估以及农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。

碲镉汞红外探测器芯片是红外探测技术的代表产品之一。伴随技术的进步，为了提高碲镉汞红外探测器探测能力，需要探测器单个像元更大，面阵占空比更高。由于传统碲镉汞芯片构型限制，很难实现此类探测器芯片的制备。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何提高碲镉汞芯片加工和维修的便利性，并提高碲镉汞芯片的性能。为此，本申请提出了一种碲镉汞芯片及其加工方法。

根据本发明实施例的碲镉汞芯片，包括：

碲镉汞层，所述碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面设有P型电极，所述第二表面设有N型电极；

电路层，所述电路层与所述P型电极和所述N型电极均连接。

根据本发明实施例的碲镉汞芯片，通过将P型电极和N型电极分别设置在碲镉汞层的相对的第一表面和第二表面上，便于碲镉汞芯片的加工。而且，有利于提高电场的均匀性，降低响应率的非均匀性，减少噪音，减少串音，从而提高了红外焦平面的探测性能。而且，将P型电极设置在第一表面，碲镉汞层与电路层互连后，P型电极在碲镉汞芯片的上表面，便于对碲镉汞芯片的检测和维修。并且，通过将P型电极设在第一表面，可以使第二表面上无限制像元注入区尺寸的结构，大幅提高了探测器注入区面积及占空比，从而提高红外探测器的探测能力，提高探测器芯片环境适应性及可靠性。

根据本发明的一些实施例，所述电路层邻近所述第二表面设置，所述P型电极通过引线与所述电路层连接。

在本发明的一些实施例中，所述电路层与所述碲镉汞层间隔设置，所述电路层与所述N型电极通过铟柱连接。

根据本发明的一些实施例，所述电路层与所述碲镉汞层之间设有填充层。

在本发明的一些实施例中，所述P型电极的外表面设有增透膜。

根据本发明的一些实施例，所述P型电极被构造为网格状。

在本发明的一些实施例中，所述第二表面设有钝化层，所述N型电极的一端与所述第二表面连接，所述N型电极的另一端穿出至所述钝化层的外表面。

根据本发明实施例的碲镉汞芯片的加工方法，包括：

在碲镉汞层的第一表面设置P型电极，在碲镉汞层的第二表面设置N型电极；

在靠近所述第二表面的一侧设置电路层，并将所述P型电极通过引线与所述电路层连接，将所述N型电极通过铟柱与所述电路层连接；

在所述电路层与所述碲镉汞层之间填充填充层。