[发明专利]分接头单元、集成电路、集成电路设计方法及系统有效
申请号: | 201910538011.8 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN110797337B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 赖柏嘉;陈国基;陈文豪;林文杰;苏郁迪;拉比乌勒·伊斯兰;英书溢;斯帝芬·鲁苏;李冠德;大卫·巴里·斯科特 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F30/392 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接头 单元 集成电路 集成电路设计 方法 系统 | ||
1.一种集成电路,包括:
衬底,具有限定具有第一边界和与所述第一边界相对的第二边界的外围的平面布置图;
多个电路元件,在所述衬底中或上布置为多行,通过选自单元库的多个标准单元来限定所述电路元件,其中,所述多个标准单元包括多个功能单元和多个分接头单元;以及
其中,所述多行包括第一行,所述第一行仅包括分接头单元,
其中,所述平面布置图还包括没有定位所述多个功能单元和所述多个分接头单元的多个开口空间,所述多个开口空间具有不同的大小。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述多行还包括第二行,所述第一行直接邻近所述第一边界并且所述第二行直接邻近所述第二边界,并且所述第一行和所述第二行仅包括分接头单元。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其中,
所述衬底是矩形并且进一步包括第三边界和第四边界,所述第三边界和所述第四边界与所述第一边界和所述第二边界垂直地延伸并且位于所述第一边界和所述第二边界之间;
其中,所述多个标准单元包括布置为列的多个第三分接头单元,所述多个第三分接头单元与所述第三边界和所述第四边界平行地延伸。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述多个分接头单元配置为将n阱区域耦合至VDD电源轨并将p阱区域耦合至VSS电源轨,并且所述多个分接头单元均包括多个n阱接触件和多个p阱接触件。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其中,所述多个分接头单元均包括数量不同的所述n阱接触件和所述p阱接触件。
6.根据权利要求2所述的集成电路,其中,所述多个功能单元配置为执行预定功能,并且定位在所述第一行和所述第二行之间的多行包括所述多个功能单元和所述多个分接头单元。
7.一种设计集成电路的方法,包括:
接收集成电路设计;
确定用于所述集成电路设计的平面布置图,其中,所述平面布置图包括多个功能单元和多个分接头单元的布置,所述多个功能单元配置为执行预定功能;
对所述平面布置图的所述功能单元中的AC电流和DC电流建模以确定所述平面布置图的电压降;
当确定所述电压降超过预定值时,确定所述平面布置图中的潜在闩锁位置;以及
基于确定的潜在闩锁位置修改所述多个功能单元或所述多个分接头单元中至少一个的配置;
其中,通过处理器来执行所述方法的至少一个步骤。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,修改所述配置包括将所述多个分接头单元中的选择分接头单元移动至所述平面布置图中的不同位置。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,修改所述配置包括将附加分接头单元添加至所述平面布置图。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,修改所述配置包括将所述多个功能单元中的选择功能单元移动至所述平面布置图中的不同位置。
11.根据权利要求7所述的方法,进一步包括:
将多个分接头单元放置在所述平面布置图的预定位置中;以及
基于所述确定的潜在闩锁位置对放置在所述预定位置中的所述多个分接头单元重新定位。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,
所述平面布置图包括具有第一边界和与所述第一边界相对的第二边界的外围;
所述平面布置图包括配置有所述多个功能单元和所述多个分接头单元的多行,所述多行包括直接邻近所述第一边界的第一行和直接邻近所述第二边界的第二行;以及
将所述多个分接头单元放置在所述平面布置图的预定位置中包括在所述第一行和所述第二行中仅放置分接头单元。
13.根据权利要求7所述的方法,其中,确定所述电压降包括确定所述平面布置图的所述功能单元的p阱和/或n阱的电压降。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的