[发明专利]使用非易失性存储器单元的乘法

权利要求书

1.一种装置，包括：

存储器单元节点；

位线，所述位线与所述存储器单元节点相关联；

写入电路，所述写入电路被配置为在所述存储器单元节点中存储被乘数，所述写入电路被配置为在所述节点的每个存储器单元中存储所述被乘数的不同的一组一个或多个位；

乘法电路，所述乘法电路被配置为向所述节点中的每个存储器单元同时施加乘法电压，每个存储器单元被配置为将存储器单元电流传递到所述位线，所述存储器单元电流表示乘数和存储在所述存储器单元中的所述被乘数的所述一组一个或多个位的乘积，所述乘数由施加到每个相应存储器单元的所述乘法电压的量值表示；和

感测电路，所述感测电路被配置为感测所述位线中的总电流的量值，所述总电流是由所述乘法电路向所述节点中的每个存储器单元同时施加乘法电压而产生的，所述总位线电流的所述量值表示所述乘数和所述被乘数的乘积。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述存储器单元驻留在具有存储器单元行和存储器单元列的交叉点阵列中；并且

所述节点中的每个存储器单元位于所述交叉点阵列的不同行中。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述存储器单元节点包括“r”个存储器单元；

所述写入电路被进一步配置为将所述被乘数数字化为“r”个位；并且

所述写入电路被进一步配置为将所述“r”个位中的一位存储到所述节点中的“r”个存储器单元中的每一个中。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述节点中的每个非易失性存储器单元具有导通电流和关断电流，所述导通电流具有量值；并且

所述节点中的所述存储器单元的所述导通电流的所述量值彼此相差二的幂。

5.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述节点中的每个非易失性存储器单元具有可调电阻器，所述可调电阻器具有横截面积，所述节点中的每个非易失性存储器单元的所述可调电阻器的所述横截面积是不同的，以便存储所述被乘数的不同位。

6.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述节点中的所述非易失性存储器单元从最低有效位到最高有效位排序；

所述节点中的所述非易失性存储器单元各自包括具有直径的可调电阻器；并且

存储器单元中的所述可调电阻器的所述直径相对于从所述最低有效位到所述最高有效位的前一存储器单元中的所述可调电阻器大约二的平方根倍。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述节点中的所述非易失性存储器单元从最低有效位到最高有效位排序；

所述非易失性存储器单元各自包括铁电场效应晶体管(FeFET)，每个FeFET具有宽长比(W/L)；并且

随着每个存储器单元从所述最低有效位到所述最高有效位，所述FeFET的所述W/L加倍。

8.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述乘法电路被配置为向所述节点中的每个非易失性存储器单元同时施加不同量值的乘法电压，所述不同量值的乘法电压具有为二的不同幂的量值。