[发明专利]确定传感器轨道、计算且均匀化研磨进度、停止研磨装置的方法、记录介质及基板研磨装置

说明书

本发明以确定设置于基板研磨装置的研磨台的涡电流传感器的轨道为一个目的。一种确定涡电流传感器的轨道的方法，是确定从基板研磨装置中的基板观察到的涡电流传感器的轨道的方法，该基板研磨装置具备研磨台和研磨头，该方法具备：取得传感器输出映射作为三维数据的阶段；对基板进行研磨的阶段；取得研磨中信号的轮廓作为二维数据的阶段；以及从作为三维数据的传感器输出映射中抽出具有与作为二维数据的研磨中信号的轮廓最类似的轮廓的轨道，并且将该抽出的轨道确定为从基板观察到的涡电流传感器的轨道的阶段。

技术领域

本发明涉及一种确定涡电流传感器的轨道的方法、计算基板研磨的进度的方法、停止基板研磨装置的动作的方法以及使基板研磨的进度均匀化的方法、用于执行这些方法的程序及记录有该程序的非暂时性的记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造装置的一种，存在CMP(Chemical Mechanical Polishing、化学机械研磨)装置。代表性的CMP装置具备：安装有研磨垫的研磨台；以及安装有基板的研磨头。在代表性的CMP装置中，将研磨液供给到研磨垫，并且在使研磨垫和基板接触的状态下使研磨台以及研磨头的至少一方旋转，从而对基板进行研磨。

为了对基板的研磨量或基板研磨的终点进行检测，已知有具备终点检测传感器的CMP装置。作为终点检测传感器的一种，存在使用涡电流对基板的研磨量或基板的研磨的终点进行检测的传感器(在以下，称为“涡电流传感器”)。涡电流传感器构成为对基板表面的导电层的厚度进行检测。

发明所要解决的课题

涡电流传感器输出的信号不仅会因为基板表面的导电层的厚度而增减，也会因为其他的主要因素而增减。因此，为了使用涡电流传感器高精度地对基板研磨的终点进行检测，必须考虑使涡电流传感器输出的信号的大小增减的主要因素。

发明内容

使涡电流传感器输出的信号的大小增减的主要因素会根据基板的部位而变化。因此，为了使用涡电流传感器高精度地对基板研磨的终点进行检测，需要确定从基板观察到的涡电流传感器的轨道。因此，本发明以确定涡电流传感器的从基板观察到的轨道为一个目的。

用于解决课题的手段

在本发明中，作为一实施方式，公开了一种确定涡电流传感器的轨道的方法，是确定从基板研磨装置中的基板观察到的涡电流传感器的轨道的方法，该基板研磨装置具备：研磨台，在该研磨台设置有涡电流传感器，并且构成为能够旋转；以及研磨头，该研磨头与所述研磨台相对，并且构成为能够旋转，能够在该研磨头的与所述研磨台相对的表面安装基板，所述方法的特征在于，具备：取得传感器输出映射作为三维数据的阶段，该传感器输出映射是表示所述涡电流传感器对于基板的被研磨面的整个表面的输出信号的映射；一边使安装有基板的所述研磨头和所述研磨台旋转，一边将所述基板按压于所述研磨台而对所述基板进行研磨的阶段；取得研磨中信号的轮廓作为二维数据的阶段，该研磨中信号是在所述基板被研磨期间所述涡电流传感器输出的信号；以及从作为三维数据的所述传感器输出映射中抽出具有与作为二维数据的所述研磨中信号的轮廓最类似的轮廓的轨道，并且将抽出的轨道确定为从所述基板观察到的所述涡电流传感器的轨道的阶段。

附图说明

图1是一实施方式的基板研磨装置(CMP装置)的主视图。

图2是表示从基板观察到的涡电流传感器的基板上的轨道的图。

图3是用于说明一实施方式的方法的流程图。

图4是表示第一传感器输出映射的图。

图5是表示第二传感器输出映射的图。

图6A是具备具有图像处理部的控制部的CMP装置的主视图。

图6B是经由路由器而与云或雾连接的CMP装置的主视图。

图6C是经由具有边缘计算功能的路由器而与云或雾连接的CMP装置的主视图。