[发明专利]薄膜晶体管及GOA电路

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括一辅助电极，所述辅助电极与所述栅极同层形成，且所述辅助电极与所述漏极的一部分相对设置。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极包括主体部以及与所述主体部相连接的多个延伸部，多个所述延伸部间隔设置在所述主体部的同一侧，所述主体部设置在所述辅助电极的正上方。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，每个所述延伸部均包括设置在所述栅极正上方的第一主延伸部以及连接所述第一主延伸部与所述主体部的第二主延伸部。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与所述辅助电极平行设置，且所述栅极与所述辅助电极之间设有一间隔区域，所述第二主延伸部设置在所述间隔区域的正上方。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述有源层设置在所述源极的正下方，并分别与所述源极以及所述漏极相连接。

6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极包括多个相互连接且呈U字型结构的槽；每个所述槽均具有一开口，所述开口与所述延伸部一一对应，且每个所述延伸部均延伸至相应的所述开口内。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，每个所述槽均包括平行设置第一部分、第二部分，以及用于连接所述第一部分与所述第二部分的第三部分；所述第一部分、所述第二部分以及所述延伸部平行设置。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一部分以及所述第二部分均为条状，所述第三部分为弧形状。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极为条状。

10.一种GOA电路，其特征在于，所述GOA电路包括多个级传的GOA单元，每个所述GOA单元均包括一薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管均包括栅极、源极、漏极和辅助电极，所述辅助电极与所述栅极同层形成，且所述辅助电极与所述漏极的一部分相对设置。

11.根据权利要求10所述的GOA电路，其特征在于，每一所述GOA单元中的所述薄膜晶体管的所述源极均接入相应时钟信号。

12.根据权利要求10所述的GOA电路，其特征在于，所述漏极包括主体部以及与所述主体部相连接的多个延伸部，多个所述延伸部间隔设置在所述主体部的同一侧，所述主体部设置在所述辅助电极的正上方。